CAJ | 학술논문

用分子束外延(molecular beam epitaxy, MBE)方法在半绝缘InP衬底上生长In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱样品.在In0.52Al0.48As势垒层中进行元素Si的δ掺杂,元素Si电离的电子转移到量子阱中,在量子阱中形成二维电子气(two-dimensional electron gas, 2DEG).对该样品在低温下进行了磁输运测试,得到了2DEG纵向电阻(磁电阻)和横向电阻(Hall电阻)在不同温度下随磁场的变化曲线.观察到磁电阻的Shubnikov-de Haas(SdH)振荡和由零场自旋分裂引起的SdH振荡在低场下的拍频效应.也观察到Hall电阻出现量子Hall效应所特有的Hall平台.对Hall电阻在低场部分的直线拟合获得2DEG的Hall浓度,并根据Hall浓度和零场电导获得2DEG的Hall迁移率.对磁电阻曲线的快速傅立叶变换(fast Fourier transform, FFT)分析获得的2DEG浓度与Hall浓度一致.对拍频节点进行分析,获得了2DEG的自旋轨道耦合常数,并由此得到了零场自旋分裂能、自旋弛豫时间、自旋进动长度等实现自旋器件的相关参数.
용분자속외연(molecular beam epitaxy, MBE)방법재반절연InP츤저상생장In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As양자정양품.재In0.52Al0.48As세루층중진행원소Si적δ참잡,원소Si전리적전자전이도양자정중,재양자정중형성이유전자기(two-dimensional electron gas, 2DEG).대해양품재저온하진행료자수운측시,득도료2DEG종향전조(자전조)화횡향전조(Hall전조)재불동온도하수자장적변화곡선.관찰도자전조적Shubnikov-de Haas(SdH)진탕화유령장자선분렬인기적SdH진탕재저장하적박빈효응.야관찰도Hall전조출현양자Hall효응소특유적Hall평태.대Hall전조재저장부분적직선의합획득2DEG적Hall농도,병근거Hall농도화령장전도획득2DEG적Hall천이솔.대자전조곡선적쾌속부립협변환(fast Fourier transform, FFT)분석획득적2DEG농도여Hall농도일치.대박빈절점진행분석,획득료2DEG적자선궤도우합상수,병유차득도료령장자선분렬능、자선이예시간、자선진동장도등실현자선기건적상관삼수.