微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2012年
2期
261-265
,共5页
王伟宾%赵远远%钟志亲%王姝娅%戴丽萍%张国俊
王偉賓%趙遠遠%鐘誌親%王姝婭%戴麗萍%張國俊
왕위빈%조원원%종지친%왕주아%대려평%장국준
LDMOS器件%高k薄膜%场板%击穿电压%导通电阻
LDMOS器件%高k薄膜%場闆%擊穿電壓%導通電阻
LDMOS기건%고k박막%장판%격천전압%도통전조
为了获得高耐压、低导通电阻的横向双扩散MOSFET (LDMOS)器件,综合利用高介电常数(高k)薄膜技术和场板技术,设计出一种漂移区表面采用“高k薄膜+氧化层+场板”结构的功率器件,有效降低了PN结弯角高电场和场板边缘峰值电场.使用器件仿真工具MEDICI进行验证,并分析高k薄膜厚度、氧化层厚度、高k薄膜相对介电常数以及栅场板长度对器件性能的影响,最终实现了耐压达到820V、比导通电阻降至13.24 Ω·mm2且性能稳定的LDMOS器件.
為瞭穫得高耐壓、低導通電阻的橫嚮雙擴散MOSFET (LDMOS)器件,綜閤利用高介電常數(高k)薄膜技術和場闆技術,設計齣一種漂移區錶麵採用“高k薄膜+氧化層+場闆”結構的功率器件,有效降低瞭PN結彎角高電場和場闆邊緣峰值電場.使用器件倣真工具MEDICI進行驗證,併分析高k薄膜厚度、氧化層厚度、高k薄膜相對介電常數以及柵場闆長度對器件性能的影響,最終實現瞭耐壓達到820V、比導通電阻降至13.24 Ω·mm2且性能穩定的LDMOS器件.
위료획득고내압、저도통전조적횡향쌍확산MOSFET (LDMOS)기건,종합이용고개전상수(고k)박막기술화장판기술,설계출일충표이구표면채용“고k박막+양화층+장판”결구적공솔기건,유효강저료PN결만각고전장화장판변연봉치전장.사용기건방진공구MEDICI진행험증,병분석고k박막후도、양화층후도、고k박막상대개전상수이급책장판장도대기건성능적영향,최종실현료내압체도820V、비도통전조강지13.24 Ω·mm2차성능은정적LDMOS기건.
