重庆三峡学院学报
重慶三峽學院學報
중경삼협학원학보
JOURNAL OF CHONGQING THREE-GORGES UNIVERSITY
2010年
3期
34-37
,共4页
γ射线%VDMOS%阈值电压漂移%总剂量辐照
γ射線%VDMOS%閾值電壓漂移%總劑量輻照
γ사선%VDMOS%역치전압표이%총제량복조
介绍了利用γ射线在不同偏置电压和不同辐照温度条件下,对不同导电沟道功率VDMOS器件进行总剂量辐照实验,从而分析研究这两种情况下器件总剂量辐照阈值电压的漂移情况.根据实验数据结合VDMOS器件物理特性分析得出:偏置电压相同时,导电沟道不同其阈值电压的漂移不同,而低温辐照则使得阈值电压漂移更加严重.
介紹瞭利用γ射線在不同偏置電壓和不同輻照溫度條件下,對不同導電溝道功率VDMOS器件進行總劑量輻照實驗,從而分析研究這兩種情況下器件總劑量輻照閾值電壓的漂移情況.根據實驗數據結閤VDMOS器件物理特性分析得齣:偏置電壓相同時,導電溝道不同其閾值電壓的漂移不同,而低溫輻照則使得閾值電壓漂移更加嚴重.
개소료이용γ사선재불동편치전압화불동복조온도조건하,대불동도전구도공솔VDMOS기건진행총제량복조실험,종이분석연구저량충정황하기건총제량복조역치전압적표이정황.근거실험수거결합VDMOS기건물리특성분석득출:편치전압상동시,도전구도불동기역치전압적표이불동,이저온복조칙사득역치전압표이경가엄중.
