GaAs 中Be 受主的光热电离光谱研究
GaAs 중Be 수주적광열전리광보연구
PHOTOTHERMAL IONIZATION SPECTROSCOPY OF BE ACCEPTOR IN GaAs
  • 万方数据
    红外与毫米波学报 홍외여호미파학보
    JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
    2000年 5期 385-388 ,共4页

    袁先漳%陆卫%史国良%陈益栋%陈张海%李宁%沈学础

    원선장%륙위%사국량%진익동%진장해%리저%침학출

    浅杂质%受主%光热电离光谱 淺雜質%受主%光熱電離光譜
    천잡질%수주%광열전리광보
    应用光热电离光谱方法研究了MBE生长GaAs薄膜中Be受主的杂质能级.通过与理论计算的比较,将观测到的3个跃迁峰归属于G线、C线和D线跃迁,同时在实验上也观察到Be受主1s3/2(Γ+8)态到2p1/2(Γ-6)态跃迁,由实验结果算得Be受主的电离能为28.6meV.
    응용광열전리광보방법연구료MBE생장GaAs박막중Be수주적잡질능급.통과여이론계산적비교,장관측도적3개약천봉귀속우G선、C선화D선약천,동시재실험상야관찰도Be수주1s3/2(Γ+8)태도2p1/2(Γ-6)태약천,유실험결과산득Be수주적전리능위28.6meV.
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