河北工业大学学报
河北工業大學學報
하북공업대학학보
JOURNAL OF HEBEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
2005年
5期
27-30
,共4页
勾宪芳%许颖%任丙彦%马丽芬
勾憲芳%許穎%任丙彥%馬麗芬
구헌방%허영%임병언%마려분
多晶硅%太阳电池%等离子体化学气相沉积%氮化硅%少子寿命
多晶硅%太暘電池%等離子體化學氣相沉積%氮化硅%少子壽命
다정규%태양전지%등리자체화학기상침적%담화규%소자수명
用等离子体化学气相沉积(PECYD)法,通过改变[SiH4:N2]/[NH3]的流量比沉积SiN薄膜.用椭圆偏振仪、准稳态光电导衰减法(QSSPCD)、X射线光电子能谱(XPS)、红外吸收光谱(IR)、反射谱,测试氮化硅薄膜的厚度、折射率、少子寿命、Si/N、氢含量、反射率.研究了多晶硅太阳电池沉积氮化硅薄膜的性能,结果发现:沉积温度350℃,沉积时间5 min,[SiH4:N2]/[NH3]=4:1时,沉积氮化硅硅片寿命高、氢含量高钝化效果好、反射率低.
用等離子體化學氣相沉積(PECYD)法,通過改變[SiH4:N2]/[NH3]的流量比沉積SiN薄膜.用橢圓偏振儀、準穩態光電導衰減法(QSSPCD)、X射線光電子能譜(XPS)、紅外吸收光譜(IR)、反射譜,測試氮化硅薄膜的厚度、摺射率、少子壽命、Si/N、氫含量、反射率.研究瞭多晶硅太暘電池沉積氮化硅薄膜的性能,結果髮現:沉積溫度350℃,沉積時間5 min,[SiH4:N2]/[NH3]=4:1時,沉積氮化硅硅片壽命高、氫含量高鈍化效果好、反射率低.
용등리자체화학기상침적(PECYD)법,통과개변[SiH4:N2]/[NH3]적류량비침적SiN박막.용타원편진의、준은태광전도쇠감법(QSSPCD)、X사선광전자능보(XPS)、홍외흡수광보(IR)、반사보,측시담화규박막적후도、절사솔、소자수명、Si/N、경함량、반사솔.연구료다정규태양전지침적담화규박막적성능,결과발현:침적온도350℃,침적시간5 min,[SiH4:N2]/[NH3]=4:1시,침적담화규규편수명고、경함량고둔화효과호、반사솔저.
