复旦学报(自然科学版)
複旦學報(自然科學版)
복단학보(자연과학판)
JOURNAL OF FUDAN UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2008年
6期
763-768
,共6页
苟曦%李怡然%陈建球%许俊%任俊彦
茍晞%李怡然%陳建毬%許俊%任俊彥
구희%리이연%진건구%허준%임준언
ΣΔ调制器%高精度%低电压%低功耗
ΣΔ調製器%高精度%低電壓%低功耗
ΣΔ조제기%고정도%저전압%저공모
设计了一个应用于0.9 V电源电压,精度达16 bit,功耗仅为300 μW的音频ΣΔ调制器.调制器采用了前馈单环三阶结构,以降低整个调制器的功耗;并采用时钟自举电路以实现低电压下CMOS开关的良好导通.芯片采用SMIC 0.18 μm一层多晶六层金属工艺进行设计和仿真,芯片核心部分面积为0.7 mm×0.66 mm.后仿真结果显示该调制器在20 kHz的音频信号带宽范围内信噪比可达93 dB.
設計瞭一箇應用于0.9 V電源電壓,精度達16 bit,功耗僅為300 μW的音頻ΣΔ調製器.調製器採用瞭前饋單環三階結構,以降低整箇調製器的功耗;併採用時鐘自舉電路以實現低電壓下CMOS開關的良好導通.芯片採用SMIC 0.18 μm一層多晶六層金屬工藝進行設計和倣真,芯片覈心部分麵積為0.7 mm×0.66 mm.後倣真結果顯示該調製器在20 kHz的音頻信號帶寬範圍內信譟比可達93 dB.
설계료일개응용우0.9 V전원전압,정도체16 bit,공모부위300 μW적음빈ΣΔ조제기.조제기채용료전궤단배삼계결구,이강저정개조제기적공모;병채용시종자거전로이실현저전압하CMOS개관적량호도통.심편채용SMIC 0.18 μm일층다정륙층금속공예진행설계화방진,심편핵심부분면적위0.7 mm×0.66 mm.후방진결과현시해조제기재20 kHz적음빈신호대관범위내신조비가체93 dB.
