真空
真空
진공
VACUUM
2010年
5期
53-56
,共4页
谷锦华%朱志立%杨仕娥%郜小勇%陈永生%卢景霄
穀錦華%硃誌立%楊仕娥%郜小勇%陳永生%盧景霄
곡금화%주지립%양사아%고소용%진영생%로경소
微晶硅%椭偏光谱法%生长机制%晶化率
微晶硅%橢偏光譜法%生長機製%晶化率
미정규%타편광보법%생장궤제%정화솔
本文采用VHF-PECVD技术制备了两个不同硅烷浓度(SC)系列的微晶硅薄膜,通过椭圆偏振技术研究了微晶硅薄膜的微结构和表面粗糙度随沉积时间的变化.实验结果表明:随着薄膜厚度的增加,两个系列硅薄膜的晶化度增加,当薄膜增加到一定厚度时内部开始出现微空洞,这是由于随着薄膜厚度的增加,薄膜晶化度增加,晶粒增大,大晶粒边界之间更容易形成空洞.硅薄膜的表面粗糙层厚度ds与薄膜厚度d满足指数关系:ds～dβ,β为生长指数,与薄膜生长机制有关,当硅烷浓度SC为4%时,β=0.33,对应有限扩散生长模式.硅烷浓度SC为5%时,β=0.52,对应为零扩散随机生长模式.硅烷浓度降低,生长指数β减小,这是由于随着硅烷浓度的降低,氢原子浓度增加,薄膜表面氢覆盖扩大,从而有利于反应前驱物的扩散,因此薄膜表面更为光滑,生长指数β减小.
本文採用VHF-PECVD技術製備瞭兩箇不同硅烷濃度(SC)繫列的微晶硅薄膜,通過橢圓偏振技術研究瞭微晶硅薄膜的微結構和錶麵粗糙度隨沉積時間的變化.實驗結果錶明:隨著薄膜厚度的增加,兩箇繫列硅薄膜的晶化度增加,噹薄膜增加到一定厚度時內部開始齣現微空洞,這是由于隨著薄膜厚度的增加,薄膜晶化度增加,晶粒增大,大晶粒邊界之間更容易形成空洞.硅薄膜的錶麵粗糙層厚度ds與薄膜厚度d滿足指數關繫:ds～dβ,β為生長指數,與薄膜生長機製有關,噹硅烷濃度SC為4%時,β=0.33,對應有限擴散生長模式.硅烷濃度SC為5%時,β=0.52,對應為零擴散隨機生長模式.硅烷濃度降低,生長指數β減小,這是由于隨著硅烷濃度的降低,氫原子濃度增加,薄膜錶麵氫覆蓋擴大,從而有利于反應前驅物的擴散,因此薄膜錶麵更為光滑,生長指數β減小.
본문채용VHF-PECVD기술제비료량개불동규완농도(SC)계렬적미정규박막,통과타원편진기술연구료미정규박막적미결구화표면조조도수침적시간적변화.실험결과표명:수착박막후도적증가,량개계렬규박막적정화도증가,당박막증가도일정후도시내부개시출현미공동,저시유우수착박막후도적증가,박막정화도증가,정립증대,대정립변계지간경용역형성공동.규박막적표면조조층후도ds여박막후도d만족지수관계:ds～dβ,β위생장지수,여박막생장궤제유관,당규완농도SC위4%시,β=0.33,대응유한확산생장모식.규완농도SC위5%시,β=0.52,대응위령확산수궤생장모식.규완농도강저,생장지수β감소,저시유우수착규완농도적강저,경원자농도증가,박막표면경복개확대,종이유리우반응전구물적확산,인차박막표면경위광활,생장지수β감소.
