微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2011年
2期
289-292
,共4页
超结%VDMOS%功率MOSFET
超結%VDMOS%功率MOSFET
초결%VDMOS%공솔MOSFET
超结MOSFET具有优越的静态直流特性.在已有成功设计600V超结VDMOS经验的基础上,提出了相应的工艺方法.利用TCAD仿真软件,对主要的工艺参数和器件电学参数进行仿真优化,得到击穿电压为929 V、比导通电阻为23.67mΩ·cm2的超结VDMOS.
超結MOSFET具有優越的靜態直流特性.在已有成功設計600V超結VDMOS經驗的基礎上,提齣瞭相應的工藝方法.利用TCAD倣真軟件,對主要的工藝參數和器件電學參數進行倣真優化,得到擊穿電壓為929 V、比導通電阻為23.67mΩ·cm2的超結VDMOS.
초결MOSFET구유우월적정태직류특성.재이유성공설계600V초결VDMOS경험적기출상,제출료상응적공예방법.이용TCAD방진연건,대주요적공예삼수화기건전학삼수진행방진우화,득도격천전압위929 V、비도통전조위23.67mΩ·cm2적초결VDMOS.
