固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2011年
6期
613-618
,共6页
陈凤娇%简文翔%董庆%袁瑞%林殷茵
陳鳳嬌%簡文翔%董慶%袁瑞%林慇茵
진봉교%간문상%동경%원서%림은인
工艺波动%传统静态指标%静态随机存取存储器%测试结构%四端结构
工藝波動%傳統靜態指標%靜態隨機存取存儲器%測試結構%四耑結構
공예파동%전통정태지표%정태수궤존취존저기%측시결구%사단결구
65 nm及其以下工艺,工艺波动对SRAM性能影响越来越大.SRAM读写噪声容限能够反映SRAM性能的好坏,对于预测SRAM良率有着重要的作用.采用一种新型测试结构测量SRAM读写噪声容限(即SRAM传统静态指标),该测试结构能够测量65 nm SRAM在保持、读、写三种操作下的指标:Hold SNM,RSNM,N-curve,WNM.为了解决其它测试方法存在的测试工作量大和IR drop(压降)等问题,该测试结构采用四端结构引出SRAM的内部存储结点,通过译码器选中特定的SRAM单元进行测试,解决了端口复用问题.提出的测试结构已在SIMC65 nm CMOS标准工艺上流片验证,并测得相应数据.
65 nm及其以下工藝,工藝波動對SRAM性能影響越來越大.SRAM讀寫譟聲容限能夠反映SRAM性能的好壞,對于預測SRAM良率有著重要的作用.採用一種新型測試結構測量SRAM讀寫譟聲容限(即SRAM傳統靜態指標),該測試結構能夠測量65 nm SRAM在保持、讀、寫三種操作下的指標:Hold SNM,RSNM,N-curve,WNM.為瞭解決其它測試方法存在的測試工作量大和IR drop(壓降)等問題,該測試結構採用四耑結構引齣SRAM的內部存儲結點,通過譯碼器選中特定的SRAM單元進行測試,解決瞭耑口複用問題.提齣的測試結構已在SIMC65 nm CMOS標準工藝上流片驗證,併測得相應數據.
65 nm급기이하공예,공예파동대SRAM성능영향월래월대.SRAM독사조성용한능구반영SRAM성능적호배,대우예측SRAM량솔유착중요적작용.채용일충신형측시결구측량SRAM독사조성용한(즉SRAM전통정태지표),해측시결구능구측량65 nm SRAM재보지、독、사삼충조작하적지표:Hold SNM,RSNM,N-curve,WNM.위료해결기타측시방법존재적측시공작량대화IR drop(압강)등문제,해측시결구채용사단결구인출SRAM적내부존저결점,통과역마기선중특정적SRAM단원진행측시,해결료단구복용문제.제출적측시결구이재SIMC65 nm CMOS표준공예상류편험증,병측득상응수거.
