发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2012年
6期
647-650
,共4页
李再金%芦鹏%李特%曲轶%薄报学%刘国军%马晓辉
李再金%蘆鵬%李特%麯軼%薄報學%劉國軍%馬曉輝
리재금%호붕%리특%곡질%박보학%류국군%마효휘
半导体激光器%1.06μm%阈值电流%温度特性
半導體激光器%1.06μm%閾值電流%溫度特性
반도체격광기%1.06μm%역치전류%온도특성
:研究了1.06μm InGaAs/InGaAsP量子阱半导体激光器厘米bar模块的温度特性,测试分析了该模块的输出光功率、阈值电流、转换效率和光谱随注入电流及管芯温度变化的特性.结果表明,器件在15～55℃范围内所测的输出光功率由40.7W降低到29.4W,阈值电流由9.29 A升高到17.24 A,转换效率由54.22％降低到37.55％,光谱漂移为0.37 nm/℃,特征温度为68.6 K.实验结果表明,为保持器件性能的稳定,在实际应用过程中应该使器件的温度控制在15～ 25℃范围内.
:研究瞭1.06μm InGaAs/InGaAsP量子阱半導體激光器釐米bar模塊的溫度特性,測試分析瞭該模塊的輸齣光功率、閾值電流、轉換效率和光譜隨註入電流及管芯溫度變化的特性.結果錶明,器件在15～55℃範圍內所測的輸齣光功率由40.7W降低到29.4W,閾值電流由9.29 A升高到17.24 A,轉換效率由54.22％降低到37.55％,光譜漂移為0.37 nm/℃,特徵溫度為68.6 K.實驗結果錶明,為保持器件性能的穩定,在實際應用過程中應該使器件的溫度控製在15～ 25℃範圍內.
:연구료1.06μm InGaAs/InGaAsP양자정반도체격광기전미bar모괴적온도특성,측시분석료해모괴적수출광공솔、역치전류、전환효솔화광보수주입전류급관심온도변화적특성.결과표명,기건재15～55℃범위내소측적수출광공솔유40.7W강저도29.4W,역치전류유9.29 A승고도17.24 A,전환효솔유54.22％강저도37.55％,광보표이위0.37 nm/℃,특정온도위68.6 K.실험결과표명,위보지기건성능적은정,재실제응용과정중응해사기건적온도공제재15～ 25℃범위내.
