提升亚微米Si CMOS器件性能的新技术--应变Si技术
제승아미미Si CMOS기건성능적신기술--응변Si기술
Strained Si: New Technology for Upgrading the Performance of Deep Micron Si CMOS Devices
  • 万方数据
    微纳电子技术 미납전자기술
    MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
    2005年 1期 13-18 ,共6页

    陈长春%余本海%刘江峰%刘志弘%钱佩信

    진장춘%여본해%류강봉%류지홍%전패신

    SiGe%应变硅%CMOS器件 SiGe%應變硅%CMOS器件
    SiGe%응변규%CMOS기건
    详细介绍了应变Si技术产生的起因及特性、应变Si器件的优势、应变Si器件应用中存在的问题并对应变Si技术的市场应用前景作了简单的介绍.
    상세개소료응변Si기술산생적기인급특성、응변Si기건적우세、응변Si기건응용중존재적문제병대응변Si기술적시장응용전경작료간단적개소.
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