应用光学
應用光學
응용광학
JOURNAL OF APPLIED OPTICS
2011年
1期
165-169
,共5页
阎得科%孙传东%冯莉%何浩东%朱少岚
閻得科%孫傳東%馮莉%何浩東%硃少嵐
염득과%손전동%풍리%하호동%주소람
能量压缩技术%MOSFET高速开关%推挽式驱动%窄脉冲%高功率激光
能量壓縮技術%MOSFET高速開關%推輓式驅動%窄脈遲%高功率激光
능량압축기술%MOSFET고속개관%추만식구동%착맥충%고공솔격광
为了获得高功率窄脉宽半导体激光,设计了半导体激光器相应的激励单元,论述MOSFET作为高速开关的工作机理,分析基于MOSFET作为高速开关产生窄的大电流脉冲的电路模型.为了使MOSFET开关速度尽可能快,根据前述分析,提出推挽式MOSFET栅极驱动方式并设计了触发窄脉冲的发生电路.当激光二极管接入放电回路时,实验表明:激光二极管输出光的峰值功率可达67.5 W,脉宽约为20 ns.最后,简要分析了影响光脉冲宽度的因素.
為瞭穫得高功率窄脈寬半導體激光,設計瞭半導體激光器相應的激勵單元,論述MOSFET作為高速開關的工作機理,分析基于MOSFET作為高速開關產生窄的大電流脈遲的電路模型.為瞭使MOSFET開關速度儘可能快,根據前述分析,提齣推輓式MOSFET柵極驅動方式併設計瞭觸髮窄脈遲的髮生電路.噹激光二極管接入放電迴路時,實驗錶明:激光二極管輸齣光的峰值功率可達67.5 W,脈寬約為20 ns.最後,簡要分析瞭影響光脈遲寬度的因素.
위료획득고공솔착맥관반도체격광,설계료반도체격광기상응적격려단원,논술MOSFET작위고속개관적공작궤리,분석기우MOSFET작위고속개관산생착적대전류맥충적전로모형.위료사MOSFET개관속도진가능쾌,근거전술분석,제출추만식MOSFET책겁구동방식병설계료촉발착맥충적발생전로.당격광이겁관접입방전회로시,실험표명:격광이겁관수출광적봉치공솔가체67.5 W,맥관약위20 ns.최후,간요분석료영향광맥충관도적인소.
