化学学报
化學學報
화학학보
ACTA CHIMICA SINICA
1998年
10期
999-1003
,共5页
徐春祥%徐征%娄志东%徐叙瑢%吴建新%季明荣
徐春祥%徐徵%婁誌東%徐敘瑢%吳建新%季明榮
서춘상%서정%루지동%서서용%오건신%계명영
SrS/SiO2界面%XPS%深度分布%化学位移%电子态
SrS/SiO2界麵%XPS%深度分佈%化學位移%電子態
SrS/SiO2계면%XPS%심도분포%화학위이%전자태
TFEL器件中绝缘层与发光层之间的界面对电荷的输运特性、发光特性等有着十分重要的作用.本文通过XPS的测量,分析了新结构器件中SrS/α-SiO2界面的各成分的芯电子能谱的变化和深度分布,发现Sr2+向SiO2中扩散较深并以氧化物的形态存在,介质层以SiOx(x=1.65～1.70)的形态存在.这些丰富的界面态有可能成为TFEL器件的初电子源而对SrS:Ce发光有贡献.
TFEL器件中絕緣層與髮光層之間的界麵對電荷的輸運特性、髮光特性等有著十分重要的作用.本文通過XPS的測量,分析瞭新結構器件中SrS/α-SiO2界麵的各成分的芯電子能譜的變化和深度分佈,髮現Sr2+嚮SiO2中擴散較深併以氧化物的形態存在,介質層以SiOx(x=1.65～1.70)的形態存在.這些豐富的界麵態有可能成為TFEL器件的初電子源而對SrS:Ce髮光有貢獻.
TFEL기건중절연층여발광층지간적계면대전하적수운특성、발광특성등유착십분중요적작용.본문통과XPS적측량,분석료신결구기건중SrS/α-SiO2계면적각성분적심전자능보적변화화심도분포,발현Sr2+향SiO2중확산교심병이양화물적형태존재,개질층이SiOx(x=1.65～1.70)적형태존재.저사봉부적계면태유가능성위TFEL기건적초전자원이대SrS:Ce발광유공헌.
