半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
z1期
184-188
,共5页
钱家骏%叶小玲%陈涌海%徐波%韩勤%王占国
錢傢駿%葉小玲%陳湧海%徐波%韓勤%王佔國
전가준%협소령%진용해%서파%한근%왕점국
应变自组装量子点%InAs/GaAs多层堆垛量子点%量子点激光器%MBE生长
應變自組裝量子點%InAs/GaAs多層堆垛量子點%量子點激光器%MBE生長
응변자조장양자점%InAs/GaAs다층퇴타양자점%양자점격광기%MBE생장
利用固态源分子束外延技术,按S-K模式生长出五层堆垛InAs/GaAs量子点(QD)微结构材料.用这种QD材料制成的激光器,内光学损耗为2.1cm-1,透明电流密度为15士10 A/cm2.对于条宽100μm,腔长2.4mm的激光器(腔面未经镀膜处理),室温下基态激射的波长为1.08μm,阈值电流密度为144A/cm2,连续波光功率输出达2.67W(双面),外量子效率为63%,特征温度为320K.研究了QD激光器翟激射特性,并对结果作了讨论.
利用固態源分子束外延技術,按S-K模式生長齣五層堆垛InAs/GaAs量子點(QD)微結構材料.用這種QD材料製成的激光器,內光學損耗為2.1cm-1,透明電流密度為15士10 A/cm2.對于條寬100μm,腔長2.4mm的激光器(腔麵未經鍍膜處理),室溫下基態激射的波長為1.08μm,閾值電流密度為144A/cm2,連續波光功率輸齣達2.67W(雙麵),外量子效率為63%,特徵溫度為320K.研究瞭QD激光器翟激射特性,併對結果作瞭討論.
이용고태원분자속외연기술,안S-K모식생장출오층퇴타InAs/GaAs양자점(QD)미결구재료.용저충QD재료제성적격광기,내광학손모위2.1cm-1,투명전류밀도위15사10 A/cm2.대우조관100μm,강장2.4mm적격광기(강면미경도막처리),실온하기태격사적파장위1.08μm,역치전류밀도위144A/cm2,련속파광공솔수출체2.67W(쌍면),외양자효솔위63%,특정온도위320K.연구료QD격광기적격사특성,병대결과작료토론.
