稀有金属材料与工程
稀有金屬材料與工程
희유금속재료여공정
RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERNG
2005年
z1期
11-14
,共4页
孟阿兰%李镇江%张灿英%蔺玉胜%张淼
孟阿蘭%李鎮江%張燦英%藺玉勝%張淼
맹아란%리진강%장찬영%린옥성%장묘
SiC纳米线网%合成%形成机理
SiC納米線網%閤成%形成機理
SiC납미선망%합성%형성궤리
利用气相化学反应法,在相对低的温度下,于自制石墨反应室中合成出二维半导体β-SiC纳米线网.该方法使用球磨及研磨混合后的Si和SiO2混合粉体及C3H6气体为原材料,通过调整基片与原料混合粉在石墨反应室的摆放位置、C3H6通入流量和时间、保温时间及其它工艺参数,可获得二维半导体β-SiC纳米线网.场发射扫描电镜、能量损失谱、X-Ray衍射、高分辨透射电镜结果表明:纳米线彼此相连形成二维纳米线网,并且纳米线的直径大约在20 nm～70nm左右.值得注意的是绝大多数纳米线网的连接点是由3根纳米线交汇而成.纳米线是具有立方结构的β-SiC,其生长方向是〈111〉,并且存在大量面缺陷.最后对这种新型二维SiC纳米线网的形成机理进行了探讨.
利用氣相化學反應法,在相對低的溫度下,于自製石墨反應室中閤成齣二維半導體β-SiC納米線網.該方法使用毬磨及研磨混閤後的Si和SiO2混閤粉體及C3H6氣體為原材料,通過調整基片與原料混閤粉在石墨反應室的襬放位置、C3H6通入流量和時間、保溫時間及其它工藝參數,可穫得二維半導體β-SiC納米線網.場髮射掃描電鏡、能量損失譜、X-Ray衍射、高分辨透射電鏡結果錶明:納米線彼此相連形成二維納米線網,併且納米線的直徑大約在20 nm～70nm左右.值得註意的是絕大多數納米線網的連接點是由3根納米線交彙而成.納米線是具有立方結構的β-SiC,其生長方嚮是〈111〉,併且存在大量麵缺陷.最後對這種新型二維SiC納米線網的形成機理進行瞭探討.
이용기상화학반응법,재상대저적온도하,우자제석묵반응실중합성출이유반도체β-SiC납미선망.해방법사용구마급연마혼합후적Si화SiO2혼합분체급C3H6기체위원재료,통과조정기편여원료혼합분재석묵반응실적파방위치、C3H6통입류량화시간、보온시간급기타공예삼수,가획득이유반도체β-SiC납미선망.장발사소묘전경、능량손실보、X-Ray연사、고분변투사전경결과표명:납미선피차상련형성이유납미선망,병차납미선적직경대약재20 nm～70nm좌우.치득주의적시절대다수납미선망적련접점시유3근납미선교회이성.납미선시구유립방결구적β-SiC,기생장방향시〈111〉,병차존재대량면결함.최후대저충신형이유SiC납미선망적형성궤리진행료탐토.
