CAJ | 학술논문

设计了一种新型图形化SOI(pattemed-Silicon-On-Insulator)LDMOSFET(1ateral doublediffused MOSFETs)结构,埋氧层在沟道下方是间断的.工艺和性能模拟分析表明,此结构具有SOI器件低泄漏电流和低输出电容的特性,而且能抑制自加热效应和浮体效应.当漂移区长度为3μm时,开态击穿电压可达到30V、关态电压为71V、截止频率6.2GHz、最大振荡频率20GHz,2GHz时、栅偏压3V时的输出功率为0.8W/mm、功率增益为28dB.这些电学参数适合2G、60V无线通讯基站功率放大器的要求.
설계료일충신형도형화SOI(pattemed-Silicon-On-Insulator)LDMOSFET(1ateral doublediffused MOSFETs)결구,매양층재구도하방시간단적.공예화성능모의분석표명,차결구구유SOI기건저설루전류화저수출전용적특성,이차능억제자가열효응화부체효응.당표이구장도위3μm시,개태격천전압가체도30V、관태전압위71V、절지빈솔6.2GHz、최대진탕빈솔20GHz,2GHz시、책편압3V시적수출공솔위0.8W/mm、공솔증익위28dB.저사전학삼수괄합2G、60V무선통신기참공솔방대기적요구.