光电工程
光電工程
광전공정
OPTO-ELECTRONIC ENGINEERING
2008年
12期
45-49
,共5页
徐均琪%樊慧庆%刘卫国%苏俊宏
徐均琪%樊慧慶%劉衛國%囌俊宏
서균기%번혜경%류위국%소준굉
类金刚石(DLC)%脉冲真空电弧沉积(PVAD)%激光损伤阈值(LIDT)%工艺优化
類金剛石(DLC)%脈遲真空電弧沉積(PVAD)%激光損傷閾值(LIDT)%工藝優化
류금강석(DLC)%맥충진공전호침적(PVAD)%격광손상역치(LIDT)%공예우화
采用脉冲真空电弧沉积(PVAD)技术制备了类金刚石(DLC)薄膜,并对其抗激光损伤特性进行了研究,优化了制备工艺.对DLC薄膜激光损伤阈值(LIDT)的测试结果表明,随着厚度的增加,薄膜的LIDT开始呈下降趋势,当厚度达到100nm以上时,则趋于一个稳定值.正交实验结果的处理和分析表明,在所给定的工艺参数范围内,主回路电压是影响DLC膜抗激光损伤性能的最主要因素,基片温度、清洗时间和脉冲频率则影响较小.为得到较好的抗激光损伤能力,采用PVAD技术制备DLC薄膜的最佳工艺参数为:清洗时间20 min、基片温度150℃、脉冲频率5 Hz、主回路电压150 V.退火处理会使DLC薄膜的激光损伤阈值明显提高.
採用脈遲真空電弧沉積(PVAD)技術製備瞭類金剛石(DLC)薄膜,併對其抗激光損傷特性進行瞭研究,優化瞭製備工藝.對DLC薄膜激光損傷閾值(LIDT)的測試結果錶明,隨著厚度的增加,薄膜的LIDT開始呈下降趨勢,噹厚度達到100nm以上時,則趨于一箇穩定值.正交實驗結果的處理和分析錶明,在所給定的工藝參數範圍內,主迴路電壓是影響DLC膜抗激光損傷性能的最主要因素,基片溫度、清洗時間和脈遲頻率則影響較小.為得到較好的抗激光損傷能力,採用PVAD技術製備DLC薄膜的最佳工藝參數為:清洗時間20 min、基片溫度150℃、脈遲頻率5 Hz、主迴路電壓150 V.退火處理會使DLC薄膜的激光損傷閾值明顯提高.
채용맥충진공전호침적(PVAD)기술제비료류금강석(DLC)박막,병대기항격광손상특성진행료연구,우화료제비공예.대DLC박막격광손상역치(LIDT)적측시결과표명,수착후도적증가,박막적LIDT개시정하강추세,당후도체도100nm이상시,칙추우일개은정치.정교실험결과적처리화분석표명,재소급정적공예삼수범위내,주회로전압시영향DLC막항격광손상성능적최주요인소,기편온도、청세시간화맥충빈솔칙영향교소.위득도교호적항격광손상능력,채용PVAD기술제비DLC박막적최가공예삼수위:청세시간20 min、기편온도150℃、맥충빈솔5 Hz、주회로전압150 V.퇴화처리회사DLC박막적격광손상역치명현제고.
