光电子技术
光電子技術
광전자기술
OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
2期
141-144
,共4页
高热导率硅胶%半导体发光二极管%扫描电子显微镜%热模拟
高熱導率硅膠%半導體髮光二極管%掃描電子顯微鏡%熱模擬
고열도솔규효%반도체발광이겁관%소묘전자현미경%열모의
通过对LED封装结构热模拟分析表明,模拟固晶胶粘贴部分失效的情况下,采用热导率为0.1 W/m·K的普通硅胶封装成的LED芯片最高温度为220.27℃,采用导热填料高热导率硅胶灌封的LED芯片最高温度可降低到122.71℃,大幅降低了芯片的温度.纳米ZnO导热填料高热导率硅胶,其填料颗粒的直径小于25 nm,透光率高,可适用于LED封装.高温加速老化结果表明,采用导热硅胶灌封的LED样品具有很好的热稳定性,LED高温老化2 000 h后,光通维持率保持在90%以上,避免了由于灌封材料和荧光粉老化产生的黑褐色覆盖层,提高热稳定性和器件使用寿命.
通過對LED封裝結構熱模擬分析錶明,模擬固晶膠粘貼部分失效的情況下,採用熱導率為0.1 W/m·K的普通硅膠封裝成的LED芯片最高溫度為220.27℃,採用導熱填料高熱導率硅膠灌封的LED芯片最高溫度可降低到122.71℃,大幅降低瞭芯片的溫度.納米ZnO導熱填料高熱導率硅膠,其填料顆粒的直徑小于25 nm,透光率高,可適用于LED封裝.高溫加速老化結果錶明,採用導熱硅膠灌封的LED樣品具有很好的熱穩定性,LED高溫老化2 000 h後,光通維持率保持在90%以上,避免瞭由于灌封材料和熒光粉老化產生的黑褐色覆蓋層,提高熱穩定性和器件使用壽命.
통과대LED봉장결구열모의분석표명,모의고정효점첩부분실효적정황하,채용열도솔위0.1 W/m·K적보통규효봉장성적LED심편최고온도위220.27℃,채용도열전료고열도솔규효관봉적LED심편최고온도가강저도122.71℃,대폭강저료심편적온도.납미ZnO도열전료고열도솔규효,기전료과립적직경소우25 nm,투광솔고,가괄용우LED봉장.고온가속노화결과표명,채용도열규효관봉적LED양품구유흔호적열은정성,LED고온노화2 000 h후,광통유지솔보지재90%이상,피면료유우관봉재료화형광분노화산생적흑갈색복개층,제고열은정성화기건사용수명.
