电源技术
電源技術
전원기술
CHINESE JOURNAL OF POWER SOURCES
2011年
6期
711-713
,共3页
电流基准%LDO%低功耗%高精度%二阶温度补偿
電流基準%LDO%低功耗%高精度%二階溫度補償
전류기준%LDO%저공모%고정도%이계온도보상
提出了一种适用于低功耗LDO的新型CMOS电流基准结构,该电路利用处在饱和区以及亚阈值区MOS管不同的温度特性来达到温度补偿,它采用全CMOS结构,具有电路结构简单,温度特性好,版图面积小的优点.基于CSMC 0.5 μm模型库对其进行了仿真,所设计电路的静态电流是400nA时,当温度在-20～110℃的范围内变化时,电流大小仅改变了3.17 nA,且具有二阶温度补偿.
提齣瞭一種適用于低功耗LDO的新型CMOS電流基準結構,該電路利用處在飽和區以及亞閾值區MOS管不同的溫度特性來達到溫度補償,它採用全CMOS結構,具有電路結構簡單,溫度特性好,版圖麵積小的優點.基于CSMC 0.5 μm模型庫對其進行瞭倣真,所設計電路的靜態電流是400nA時,噹溫度在-20～110℃的範圍內變化時,電流大小僅改變瞭3.17 nA,且具有二階溫度補償.
제출료일충괄용우저공모LDO적신형CMOS전류기준결구,해전로이용처재포화구이급아역치구MOS관불동적온도특성래체도온도보상,타채용전CMOS결구,구유전로결구간단,온도특성호,판도면적소적우점.기우CSMC 0.5 μm모형고대기진행료방진,소설계전로적정태전류시400nA시,당온도재-20～110℃적범위내변화시,전류대소부개변료3.17 nA,차구유이계온도보상.
