CAJ | 학술논문

设计了InGaAs探测器芯片与多模石英光纤的耦合结构,测试了芯片耦合前后的性能变化,并分析了影响耦合效率的因素.结果表明,石英光纤与InGaAs探测器芯片可以较好地耦合.在0.9～1.7 μm波段,当采用与芯片尺径相当的100 μm光纤进行无透镜直接耦合时,耦合效率可达30％以上；当采用芯径为500 μm的光纤耦合时,耦合效率可达55％以上.多模石英光纤出射端的光强呈高斯分布.随着光纤端面与芯片表面的间距偏差的增加,高斯分布曲线的半宽值增大,光束逐渐发散.芯片与光纤的对准偏差对耦合效率的影响很大,其中对横向偏移量的依赖性最强.
설계료InGaAs탐측기심편여다모석영광섬적우합결구,측시료심편우합전후적성능변화,병분석료영향우합효솔적인소.결과표명,석영광섬여InGaAs탐측기심편가이교호지우합.재0.9～1.7 μm파단,당채용여심편척경상당적100 μm광섬진행무투경직접우합시,우합효솔가체30％이상；당채용심경위500 μm적광섬우합시,우합효솔가체55％이상.다모석영광섬출사단적광강정고사분포.수착광섬단면여심편표면적간거편차적증가,고사분포곡선적반관치증대,광속축점발산.심편여광섬적대준편차대우합효솔적영향흔대,기중대횡향편이량적의뢰성최강.