光学精密工程
光學精密工程
광학정밀공정
OPTICS AND PRECISION ENGINEERING
2011年
7期
1510-1514
,共5页
岱钦%乌日娜%杨健%徐送宁%全薇
岱欽%烏日娜%楊健%徐送寧%全薇
대흠%오일나%양건%서송저%전미
激光辐射%染料掺杂%扭曲向列相液晶%电场控制
激光輻射%染料摻雜%扭麯嚮列相液晶%電場控製
격광복사%염료참잡%뉴곡향렬상액정%전장공제
通过在向列相液晶TEB30A中掺杂激光染料DCM和手性剂CB15制作了平面排列态液晶器件.采用Nd:YAG倍频532 nm波段激光作为泵浦光源,测量分析了平行于液晶器件表面方向的受激辐射光谱.当泵浦光较弱时,观察到了染料DCM较宽的荧光辐射谱;随着泵浦光的逐渐增强,辐射谱带逐渐变窄,辐射峰中心波长约为610 nm,最小半峰全宽(FWHM)为11 nm.观察了在器件玻璃基板上施加交流电场后激光辐射的变化情况,结果显示,当外加电压＜9 V时,辐射强度随着电压的增大逐渐减弱;当外加电压＞9 V,辐射强度迅速衰减,谱线变宽,显示了较好的电场控制特性.文章认为这种现象主要是由于电场作用下液晶分子取向发生变化所致.
通過在嚮列相液晶TEB30A中摻雜激光染料DCM和手性劑CB15製作瞭平麵排列態液晶器件.採用Nd:YAG倍頻532 nm波段激光作為泵浦光源,測量分析瞭平行于液晶器件錶麵方嚮的受激輻射光譜.噹泵浦光較弱時,觀察到瞭染料DCM較寬的熒光輻射譜;隨著泵浦光的逐漸增彊,輻射譜帶逐漸變窄,輻射峰中心波長約為610 nm,最小半峰全寬(FWHM)為11 nm.觀察瞭在器件玻璃基闆上施加交流電場後激光輻射的變化情況,結果顯示,噹外加電壓＜9 V時,輻射彊度隨著電壓的增大逐漸減弱;噹外加電壓＞9 V,輻射彊度迅速衰減,譜線變寬,顯示瞭較好的電場控製特性.文章認為這種現象主要是由于電場作用下液晶分子取嚮髮生變化所緻.
통과재향렬상액정TEB30A중참잡격광염료DCM화수성제CB15제작료평면배렬태액정기건.채용Nd:YAG배빈532 nm파단격광작위빙포광원,측량분석료평행우액정기건표면방향적수격복사광보.당빙포광교약시,관찰도료염료DCM교관적형광복사보;수착빙포광적축점증강,복사보대축점변착,복사봉중심파장약위610 nm,최소반봉전관(FWHM)위11 nm.관찰료재기건파리기판상시가교류전장후격광복사적변화정황,결과현시,당외가전압＜9 V시,복사강도수착전압적증대축점감약;당외가전압＞9 V,복사강도신속쇠감,보선변관,현시료교호적전장공제특성.문장인위저충현상주요시유우전장작용하액정분자취향발생변화소치.
