人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2011年
1期
161-165
,共5页
赵冬月%刘保亭%郭哲%李曼%陈剑辉%代鹏超%韦梦祎
趙鼕月%劉保亭%郭哲%李曼%陳劍輝%代鵬超%韋夢祎
조동월%류보정%곽철%리만%진검휘%대붕초%위몽의
BST 薄膜%非晶 Ti-Al 薄膜%过渡层%脉冲激光沉积
BST 薄膜%非晶 Ti-Al 薄膜%過渡層%脈遲激光沉積
BST 박막%비정 Ti-Al 박막%과도층%맥충격광침적
应用磁控溅射法在 Pt/Ti/SiO2/Si(001)衬底上制备 5 mm 厚超薄非晶 Ti-Al 薄膜作为过渡层,利用脉冲激光沉积法制备 Ba0.6 Sr0.4TiO3 薄膜,构造了 Pt/Ba0.6Sr0.4TiO3/Pt(Pt/BST/Pt)和 Pt/Ti-Al/Ba0.6Sr0.4TiO3/Ti-Al/Pt(Pt/Ti-Al/BST/Ti-Al/Pt)结构的电容器,研究了 Ti-Al 过渡层对 Pt/BST/Pt 电容器结构及其性能的影响.实验表明,过渡层的引入有效地阻止了 Pt 电极和 BST 薄膜的互扩散,降低了 BST 薄膜氧空位的浓度,提高了铁电电容器的介电性能.当测试频率为 1 kHz、直流偏压为0 V时,介电常数由引入过渡层前的 530 增大到引入后的 601,介电损耗则由0.09减小到0.03.而且过渡层的引入有效地降低了 BST 薄膜的漏电流,使正负向漏电流趋于对称,在测试电压为5 V 时,漏电流密度由3.8×10-5 A/cm2 减小到 8.25 ×10-6 A/cm2.
應用磁控濺射法在 Pt/Ti/SiO2/Si(001)襯底上製備 5 mm 厚超薄非晶 Ti-Al 薄膜作為過渡層,利用脈遲激光沉積法製備 Ba0.6 Sr0.4TiO3 薄膜,構造瞭 Pt/Ba0.6Sr0.4TiO3/Pt(Pt/BST/Pt)和 Pt/Ti-Al/Ba0.6Sr0.4TiO3/Ti-Al/Pt(Pt/Ti-Al/BST/Ti-Al/Pt)結構的電容器,研究瞭 Ti-Al 過渡層對 Pt/BST/Pt 電容器結構及其性能的影響.實驗錶明,過渡層的引入有效地阻止瞭 Pt 電極和 BST 薄膜的互擴散,降低瞭 BST 薄膜氧空位的濃度,提高瞭鐵電電容器的介電性能.噹測試頻率為 1 kHz、直流偏壓為0 V時,介電常數由引入過渡層前的 530 增大到引入後的 601,介電損耗則由0.09減小到0.03.而且過渡層的引入有效地降低瞭 BST 薄膜的漏電流,使正負嚮漏電流趨于對稱,在測試電壓為5 V 時,漏電流密度由3.8×10-5 A/cm2 減小到 8.25 ×10-6 A/cm2.
응용자공천사법재 Pt/Ti/SiO2/Si(001)츤저상제비 5 mm 후초박비정 Ti-Al 박막작위과도층,이용맥충격광침적법제비 Ba0.6 Sr0.4TiO3 박막,구조료 Pt/Ba0.6Sr0.4TiO3/Pt(Pt/BST/Pt)화 Pt/Ti-Al/Ba0.6Sr0.4TiO3/Ti-Al/Pt(Pt/Ti-Al/BST/Ti-Al/Pt)결구적전용기,연구료 Ti-Al 과도층대 Pt/BST/Pt 전용기결구급기성능적영향.실험표명,과도층적인입유효지조지료 Pt 전겁화 BST 박막적호확산,강저료 BST 박막양공위적농도,제고료철전전용기적개전성능.당측시빈솔위 1 kHz、직류편압위0 V시,개전상수유인입과도층전적 530 증대도인입후적 601,개전손모칙유0.09감소도0.03.이차과도층적인입유효지강저료 BST 박막적루전류,사정부향루전류추우대칭,재측시전압위5 V 시,루전류밀도유3.8×10-5 A/cm2 감소도 8.25 ×10-6 A/cm2.
