材料导报
材料導報
재료도보
MATERIALS REVIEW
2011年
2期
112-115
,共4页
罗衡%邓联文%易图林%黄生祥%胡照文%周克省
囉衡%鄧聯文%易圖林%黃生祥%鬍照文%週剋省
라형%산련문%역도림%황생상%호조문%주극성
半导体si%载流子迁移率%玻耳兹曼方程%计算模拟
半導體si%載流子遷移率%玻耳玆曼方程%計算模擬
반도체si%재류자천이솔%파이자만방정%계산모의
半导体材料栽流子迁移率是表征其电导特性的重要参数,在半导体材料载流子散射机制理论基础上,基于玻耳兹曼方程和Mathiessen规则,通过对具有不同热运动速度的载流子漂移速度求统计平均值,建立了Si材料栽流子迁移率的玻耳兹曼统计模型.计算了模拟载流子迁移率的影响因素和变化规律,并得出电场作用下的饱和漂移速度为-Vdn=1.1×107cm/s, -Vdn=8.7×106cm/s,与基于实验数据的经验公式导出的结果基本一致,表明玻耳兹曼统计模型具有良好的适用性.
半導體材料栽流子遷移率是錶徵其電導特性的重要參數,在半導體材料載流子散射機製理論基礎上,基于玻耳玆曼方程和Mathiessen規則,通過對具有不同熱運動速度的載流子漂移速度求統計平均值,建立瞭Si材料栽流子遷移率的玻耳玆曼統計模型.計算瞭模擬載流子遷移率的影響因素和變化規律,併得齣電場作用下的飽和漂移速度為-Vdn=1.1×107cm/s, -Vdn=8.7×106cm/s,與基于實驗數據的經驗公式導齣的結果基本一緻,錶明玻耳玆曼統計模型具有良好的適用性.
반도체재료재류자천이솔시표정기전도특성적중요삼수,재반도체재료재류자산사궤제이론기출상,기우파이자만방정화Mathiessen규칙,통과대구유불동열운동속도적재류자표이속도구통계평균치,건립료Si재료재류자천이솔적파이자만통계모형.계산료모의재류자천이솔적영향인소화변화규률,병득출전장작용하적포화표이속도위-Vdn=1.1×107cm/s, -Vdn=8.7×106cm/s,여기우실험수거적경험공식도출적결과기본일치,표명파이자만통계모형구유량호적괄용성.
