中国光学与应用光学
中國光學與應用光學
중국광학여응용광학
CHINESE JOURNAL OF OPTICS AND APPLIED OPTICS
2010年
5期
446-451
,共6页
赵珂杰%谢泉%肖清泉%余志强
趙珂傑%謝泉%肖清泉%餘誌彊
조가걸%사천%초청천%여지강
Mg2Si%半导体薄膜%材料制备
Mg2Si%半導體薄膜%材料製備
Mg2Si%반도체박막%재료제비
介绍了近年来Mg2Si薄膜的研究进展.从Mg2Si材料的晶体结构出发,重点对Mg2Si薄膜的基本性质、制备方法和应用前景进行了论述.研究表明,Mg2Si是一种窄带隙间接半导体材料,在光电和热电领域都具有较好的应用价值,因其兼具了组成元素地层含量丰富、无毒、无污染等优点,被视为是一种新型的环境友好半导体材料.在Mg2 Si薄膜的外延生长技术方面,目前比较成熟的方法有分子束外延、脉冲激光沉积、反应扩散等多种,但普遍存在制备条件较苛刻,成膜质量不高等缺点.最后,对目前存在的问题及未来的研究动向做了简要讨论.
介紹瞭近年來Mg2Si薄膜的研究進展.從Mg2Si材料的晶體結構齣髮,重點對Mg2Si薄膜的基本性質、製備方法和應用前景進行瞭論述.研究錶明,Mg2Si是一種窄帶隙間接半導體材料,在光電和熱電領域都具有較好的應用價值,因其兼具瞭組成元素地層含量豐富、無毒、無汙染等優點,被視為是一種新型的環境友好半導體材料.在Mg2 Si薄膜的外延生長技術方麵,目前比較成熟的方法有分子束外延、脈遲激光沉積、反應擴散等多種,但普遍存在製備條件較苛刻,成膜質量不高等缺點.最後,對目前存在的問題及未來的研究動嚮做瞭簡要討論.
개소료근년래Mg2Si박막적연구진전.종Mg2Si재료적정체결구출발,중점대Mg2Si박막적기본성질、제비방법화응용전경진행료논술.연구표명,Mg2Si시일충착대극간접반도체재료,재광전화열전영역도구유교호적응용개치,인기겸구료조성원소지층함량봉부、무독、무오염등우점,피시위시일충신형적배경우호반도체재료.재Mg2 Si박막적외연생장기술방면,목전비교성숙적방법유분자속외연、맥충격광침적、반응확산등다충,단보편존재제비조건교가각,성막질량불고등결점.최후,대목전존재적문제급미래적연구동향주료간요토론.