材料导报
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재료도보
MATERIALS REVIEW
2010年
11期
45-49
,共5页
脉冲激光沉积%AlN薄膜%衬底%工艺参数%性能
脈遲激光沉積%AlN薄膜%襯底%工藝參數%性能
맥충격광침적%AlN박막%츤저%공예삼수%성능
脉冲激光沉积法(PLD)以其低温成膜优势被公认为是宽禁带半导体AIN薄膜的优选制备方法.获得高质量的AIN薄膜需要最佳的薄膜/衬底匹配和工艺参数.综述了各种常见异质外延衬底与AlN薄膜的取向关系,分析了影响薄膜质量的工艺因素,介绍了薄膜在电、光、热方面的性能研究现状,并指出了今后工作的方向.
脈遲激光沉積法(PLD)以其低溫成膜優勢被公認為是寬禁帶半導體AIN薄膜的優選製備方法.穫得高質量的AIN薄膜需要最佳的薄膜/襯底匹配和工藝參數.綜述瞭各種常見異質外延襯底與AlN薄膜的取嚮關繫,分析瞭影響薄膜質量的工藝因素,介紹瞭薄膜在電、光、熱方麵的性能研究現狀,併指齣瞭今後工作的方嚮.
맥충격광침적법(PLD)이기저온성막우세피공인위시관금대반도체AIN박막적우선제비방법.획득고질량적AIN박막수요최가적박막/츤저필배화공예삼수.종술료각충상견이질외연츤저여AlN박막적취향관계,분석료영향박막질량적공예인소,개소료박막재전、광、열방면적성능연구현상,병지출료금후공작적방향.
