高电压技术
高電壓技術
고전압기술
HIGH VOLTAGE ENGINEERING
2009年
1期
59-63
,共5页
刘红%屈光辉%王馨梅%田立强%刘峥%徐鸣%施卫
劉紅%屈光輝%王馨梅%田立彊%劉崢%徐鳴%施衛
류홍%굴광휘%왕형매%전립강%류쟁%서명%시위
砷化镓%光电导开关%击穿%脉冲功率%转移电子效应%陷阱填充电导模型
砷化鎵%光電導開關%擊穿%脈遲功率%轉移電子效應%陷阱填充電導模型
신화가%광전도개관%격천%맥충공솔%전이전자효응%함정전충전도모형
对GaAs光电导开关的电极进行刻蚀处理.可极大地分散电极处的电场强度.有效避免局部电场的过于集中,从而增大开关的耐压和通流能力,为有效应用这一技术,用有限元方法模拟分析了不同角度刻蚀方案对电极处电场分布的影响,研制了 32 kV、峰值电流3.7 kA的高压纳秒GaAs光电导开关.根据实验结果分析了光电导开关在强场下的击穿机理,指出开关击穿主要由开关体负阻效应在开关阳极产生的空间电荷累积所导致的开关阳极电场剧增引起的;同时,基于转移电子效应对开关击穿电压进行了理论计算,计算结果与实验相吻合.
對GaAs光電導開關的電極進行刻蝕處理.可極大地分散電極處的電場彊度.有效避免跼部電場的過于集中,從而增大開關的耐壓和通流能力,為有效應用這一技術,用有限元方法模擬分析瞭不同角度刻蝕方案對電極處電場分佈的影響,研製瞭 32 kV、峰值電流3.7 kA的高壓納秒GaAs光電導開關.根據實驗結果分析瞭光電導開關在彊場下的擊穿機理,指齣開關擊穿主要由開關體負阻效應在開關暘極產生的空間電荷纍積所導緻的開關暘極電場劇增引起的;同時,基于轉移電子效應對開關擊穿電壓進行瞭理論計算,計算結果與實驗相吻閤.
대GaAs광전도개관적전겁진행각식처리.가겁대지분산전겁처적전장강도.유효피면국부전장적과우집중,종이증대개관적내압화통류능력,위유효응용저일기술,용유한원방법모의분석료불동각도각식방안대전겁처전장분포적영향,연제료 32 kV、봉치전류3.7 kA적고압납초GaAs광전도개관.근거실험결과분석료광전도개관재강장하적격천궤리,지출개관격천주요유개관체부조효응재개관양겁산생적공간전하루적소도치적개관양겁전장극증인기적;동시,기우전이전자효응대개관격천전압진행료이론계산,계산결과여실험상문합.
