中国集成电路
中國集成電路
중국집성전로
CHINA INTEGRATED CIRCUIT
2008年
12期
25-29,69
,共6页
王浩%胡冬青%吴郁%亢宝位
王浩%鬍鼕青%吳鬱%亢寶位
왕호%호동청%오욱%항보위
内透明集电极%PT-IGBT%NPT-IGBT%高复合层
內透明集電極%PT-IGBT%NPT-IGBT%高複閤層
내투명집전겁%PT-IGBT%NPT-IGBT%고복합층
本文首次对新近提出的一种新结构的IGBT--内透明集电极IGBT进行了器件性能的仿真.这种IGBT是在传统非透明集电极IGBT结构基础上,通过在集电区内距离集电结很近处设置一个高复合层的方法,使器件在物理上实现了集电极对电子的透明,同时又避免了低压透明集电极IGBT制造过程中超薄片操作的技术难题.论文重点对器件的温度特性和关断特性进行了仿真研究,并与现行PT-IGBT和FS-IGBT进行了比较.仿真结果表明,通过合理调整内透明集电极IGBT的参数组合,可以使其具有通态压降正温度系数的同时,又具有较快的关断速度,实现透明集电极IGBT的优良性能.
本文首次對新近提齣的一種新結構的IGBT--內透明集電極IGBT進行瞭器件性能的倣真.這種IGBT是在傳統非透明集電極IGBT結構基礎上,通過在集電區內距離集電結很近處設置一箇高複閤層的方法,使器件在物理上實現瞭集電極對電子的透明,同時又避免瞭低壓透明集電極IGBT製造過程中超薄片操作的技術難題.論文重點對器件的溫度特性和關斷特性進行瞭倣真研究,併與現行PT-IGBT和FS-IGBT進行瞭比較.倣真結果錶明,通過閤理調整內透明集電極IGBT的參數組閤,可以使其具有通態壓降正溫度繫數的同時,又具有較快的關斷速度,實現透明集電極IGBT的優良性能.
본문수차대신근제출적일충신결구적IGBT--내투명집전겁IGBT진행료기건성능적방진.저충IGBT시재전통비투명집전겁IGBT결구기출상,통과재집전구내거리집전결흔근처설치일개고복합층적방법,사기건재물리상실현료집전겁대전자적투명,동시우피면료저압투명집전겁IGBT제조과정중초박편조작적기술난제.논문중점대기건적온도특성화관단특성진행료방진연구,병여현행PT-IGBT화FS-IGBT진행료비교.방진결과표명,통과합리조정내투명집전겁IGBT적삼수조합,가이사기구유통태압강정온도계수적동시,우구유교쾌적관단속도,실현투명집전겁IGBT적우량성능.