半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
z1期
234-237
,共4页
郭伦春%王晓亮%胡国新%李建平%罗卫军
郭倫春%王曉亮%鬍國新%李建平%囉衛軍
곽륜춘%왕효량%호국신%리건평%라위군
GaN%MOCVD%AlN%缓冲层
GaN%MOCVD%AlN%緩遲層
GaN%MOCVD%AlN%완충층
采用MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)生长方法,对比在AlN层上加入δAl/AlN缓冲层和不加入δAl/AlN缓冲层两种生长结构,在Si(111)衬底上生长GaN.实验结果表明,在加入δAl/AlN缓冲层后,GaN外延层的裂纹密度得到了有效的降低,晶体质量也得到了明显的提高.通过MOCVD生长方法,利用光学显微镜、XRD和Raman等分析测试手段,研究了δAl/AlN缓冲层对GaN外延层的影响,获得了裂纹密度小、晶体质量高的GaN材料.
採用MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)生長方法,對比在AlN層上加入δAl/AlN緩遲層和不加入δAl/AlN緩遲層兩種生長結構,在Si(111)襯底上生長GaN.實驗結果錶明,在加入δAl/AlN緩遲層後,GaN外延層的裂紋密度得到瞭有效的降低,晶體質量也得到瞭明顯的提高.通過MOCVD生長方法,利用光學顯微鏡、XRD和Raman等分析測試手段,研究瞭δAl/AlN緩遲層對GaN外延層的影響,穫得瞭裂紋密度小、晶體質量高的GaN材料.
채용MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)생장방법,대비재AlN층상가입δAl/AlN완충층화불가입δAl/AlN완충층량충생장결구,재Si(111)츤저상생장GaN.실험결과표명,재가입δAl/AlN완충층후,GaN외연층적렬문밀도득도료유효적강저,정체질량야득도료명현적제고.통과MOCVD생장방법,이용광학현미경、XRD화Raman등분석측시수단,연구료δAl/AlN완충층대GaN외연층적영향,획득료렬문밀도소、정체질량고적GaN재료.
