氨化Si基Ga2O3/In2O3制备GaN薄膜
안화Si기Ga2O3/In2O3제비GaN박막
Formation of GaN films by ammoniating Ga2O3 films on In2O3 layer eeposited on Si(111) substrates
  • 万方数据
    功能材料 공능재료
    JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
    2007年 10期 1632-1634 ,共3页

    薛成山%王福学%庄惠照%张晓凯%艾玉杰%孙丽丽%陈金华%秦丽霞

    설성산%왕복학%장혜조%장효개%애옥걸%손려려%진금화%진려하

    GaN%Ga2O3/In2O3%氨化%磁控溅射 GaN%Ga2O3/In2O3%氨化%磁控濺射
    GaN%Ga2O3/In2O3%안화%자공천사
    研究了Ga2O3/In2O3 膜反应自组装制备GaN薄膜,再将Ga2O3/In2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜,用X射线衍射 (XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对样品进行结构、形貌的分析.测试结果表明,用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,且900℃时成膜的质量最好.
    연구료Ga2O3/In2O3 막반응자조장제비GaN박막,재장Ga2O3/In2O3막재고순안기기분중안화반응득도GaN박막,용X사선연사 (XRD),부리협홍외흡수(FTIR),소묘전경(SEM)화투사전경(TEM)대양품진행결구、형모적분석.측시결과표명,용차방법득도료륙방섬자광결구적GaN다정막,차900℃시성막적질량최호.
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