S波段10 W SiC MESFET的研制
S파단10 W SiC MESFET적연제
Development of S-Band SiC MESFET with 10 W Output
  • 万方数据
    半导体技术 반도체기술
    SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
    2007年 11期 940-943 ,共4页

    潘宏菽%李亮%陈昊%齐国虎%霍玉柱%杨霏%冯震%蔡树军

    반굉숙%리량%진호%제국호%곽옥주%양비%풍진%채수군

    碳化硅%微波%功率器件%金属-半导体场效应晶体管 碳化硅%微波%功率器件%金屬-半導體場效應晶體管
    탄화규%미파%공솔기건%금속-반도체장효응정체관
    采用在75 mm 4H-SiC半绝缘衬底上实现的国产SiC MESFET外延材料进行器件研制,在该器件的具体研制工艺中利用感应耦合等离子体干法腐蚀,牺牲层氧化等工艺技术,研制出2 GHz工作频率下连续波输出功率大于10 W、功率增益大于9 dB、功率附加效率不低于35%的MESFET功率样管,该器件的特征频率达6.7 GHz,最高振荡频率达25 GHz.对芯片加工工艺和器件的测试技术进行了分析,给出了相应的工艺和测试结果.
    채용재75 mm 4H-SiC반절연츤저상실현적국산SiC MESFET외연재료진행기건연제,재해기건적구체연제공예중이용감응우합등리자체간법부식,희생층양화등공예기술,연제출2 GHz공작빈솔하련속파수출공솔대우10 W、공솔증익대우9 dB、공솔부가효솔불저우35%적MESFET공솔양관,해기건적특정빈솔체6.7 GHz,최고진탕빈솔체25 GHz.대심편가공공예화기건적측시기술진행료분석,급출료상응적공예화측시결과.
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