半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
9期
1428-1432
,共5页
乔明%周贤达%段明伟%方健%张波%李肇基
喬明%週賢達%段明偉%方健%張波%李肇基
교명%주현체%단명위%방건%장파%리조기
高压互连线%多区%双RESURF%LDMOS%击穿电压
高壓互連線%多區%雙RESURF%LDMOS%擊穿電壓
고압호련선%다구%쌍RESURF%LDMOS%격천전압
对600V以上级具有高压互连线的多区双RESURF LDMOS击穿特性进行了实验研究,并对器件进行了二维、三维仿真分析.利用多区P-top降场层的结终端扩展作用以及圆形结构曲率效应的影响,增强具有高压互连线的横向高压器件漂移区耗尽,从而降低高压互连线对器件耐压的影响.实验与仿真结果表明,器件的击穿电压随着互连线宽度的减小而增加,并与P-top降场层浓度存在强的依赖关系,三维仿真结果与实验结果较吻合,而二维仿真并不能较好反映具有高压互连线的高压器件击穿特性.在不增加掩模版数、采用额外工艺步骤的条件下,具有30μm高压互连线宽度的多区双RESURF LDMOS击穿电压实验值为640V.所设计的高压互连器件结构可用于电平位移、高压结隔离终端,满足高压领域的电路设计需要.
對600V以上級具有高壓互連線的多區雙RESURF LDMOS擊穿特性進行瞭實驗研究,併對器件進行瞭二維、三維倣真分析.利用多區P-top降場層的結終耑擴展作用以及圓形結構麯率效應的影響,增彊具有高壓互連線的橫嚮高壓器件漂移區耗儘,從而降低高壓互連線對器件耐壓的影響.實驗與倣真結果錶明,器件的擊穿電壓隨著互連線寬度的減小而增加,併與P-top降場層濃度存在彊的依賴關繫,三維倣真結果與實驗結果較吻閤,而二維倣真併不能較好反映具有高壓互連線的高壓器件擊穿特性.在不增加掩模版數、採用額外工藝步驟的條件下,具有30μm高壓互連線寬度的多區雙RESURF LDMOS擊穿電壓實驗值為640V.所設計的高壓互連器件結構可用于電平位移、高壓結隔離終耑,滿足高壓領域的電路設計需要.
대600V이상급구유고압호련선적다구쌍RESURF LDMOS격천특성진행료실험연구,병대기건진행료이유、삼유방진분석.이용다구P-top강장층적결종단확전작용이급원형결구곡솔효응적영향,증강구유고압호련선적횡향고압기건표이구모진,종이강저고압호련선대기건내압적영향.실험여방진결과표명,기건적격천전압수착호련선관도적감소이증가,병여P-top강장층농도존재강적의뢰관계,삼유방진결과여실험결과교문합,이이유방진병불능교호반영구유고압호련선적고압기건격천특성.재불증가엄모판수、채용액외공예보취적조건하,구유30μm고압호련선관도적다구쌍RESURF LDMOS격천전압실험치위640V.소설계적고압호련기건결구가용우전평위이、고압결격리종단,만족고압영역적전로설계수요.
