现代显示
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현대현시
ADVANCED DISPLAY
2007年
5期
50-53
,共4页
盖鑫玮%蒋泉%张良艳%周兴利
蓋鑫瑋%蔣泉%張良豔%週興利
개흠위%장천%장량염%주흥리
OLED%Alq3%制作工艺%开启电压
OLED%Alq3%製作工藝%開啟電壓
OLED%Alq3%제작공예%개계전압
介绍了小分子OLED器件的基本结构和制作设备,制作了两种Alq3基的小分子OLED器件.器件的结构分别为ITO/NPB(400(A))/Alq3(300(A))/Al和ITO/NPB(400(A))/Alq3(300(A))/LiF/Al,讨论了Al阴极中有无LiF对器件性能的影响,包括开启电压以及电流密度等参数.
介紹瞭小分子OLED器件的基本結構和製作設備,製作瞭兩種Alq3基的小分子OLED器件.器件的結構分彆為ITO/NPB(400(A))/Alq3(300(A))/Al和ITO/NPB(400(A))/Alq3(300(A))/LiF/Al,討論瞭Al陰極中有無LiF對器件性能的影響,包括開啟電壓以及電流密度等參數.
개소료소분자OLED기건적기본결구화제작설비,제작료량충Alq3기적소분자OLED기건.기건적결구분별위ITO/NPB(400(A))/Alq3(300(A))/Al화ITO/NPB(400(A))/Alq3(300(A))/LiF/Al,토론료Al음겁중유무LiF대기건성능적영향,포괄개계전압이급전류밀도등삼수.
