河北省科学院学报
河北省科學院學報
하북성과학원학보
JOURNAL OF THE HEBEI ACADEMY OF SCIENCES
2005年
3期
19-22
,共4页
张务永%王翠卿%王生国%王同祥%张慕义
張務永%王翠卿%王生國%王同祥%張慕義
장무영%왕취경%왕생국%왕동상%장모의
宽带%MMIC%功率%HFET%有耗匹配
寬帶%MMIC%功率%HFET%有耗匹配
관대%MMIC%공솔%HFET%유모필배
概述了GaAs MMIC放大器的技术发展,探讨了功率单片的设计技术.介绍了一种S/C波段宽带GaAs MMIC功率放大器的设计与工艺制作情况.该芯片采用有耗匹配电路结构,利用HFET工艺制作,在3～6GHz频段内饱和输出功率达到3W,功率增益大于23dB,输入、输出驻波比均小于2.5:1,效率为18～25%.
概述瞭GaAs MMIC放大器的技術髮展,探討瞭功率單片的設計技術.介紹瞭一種S/C波段寬帶GaAs MMIC功率放大器的設計與工藝製作情況.該芯片採用有耗匹配電路結構,利用HFET工藝製作,在3～6GHz頻段內飽和輸齣功率達到3W,功率增益大于23dB,輸入、輸齣駐波比均小于2.5:1,效率為18～25%.
개술료GaAs MMIC방대기적기술발전,탐토료공솔단편적설계기술.개소료일충S/C파단관대GaAs MMIC공솔방대기적설계여공예제작정황.해심편채용유모필배전로결구,이용HFET공예제작,재3～6GHz빈단내포화수출공솔체도3W,공솔증익대우23dB,수입、수출주파비균소우2.5:1,효솔위18～25%.
