CAJ | 학술논문

化学机械抛光(CMP)在半导体工业内获得了广泛的赞同,对控制形貌起伏的硅片表面当作首选方法.一种可供选择的基于白光测量原理之上的非接触光学形貌测量法被推出.和大多数商业化只能以纳米精度测量不透明表面的白光干涉测量仪不同,新推出的方法是通过单频相位干涉测量仪(PMI)能够以相似的精度测量透明的可变化反射像的表面结构,这个可变化的反射相也许是由于单层或多层薄膜堆叠在一个底层上的多层表面材料特性所引起的,或者是硅片上其它微结构所引起的.因而,在化学机械抛光加工处理过程中的某些不合格项,例如,碟形腐蚀,可以直接用光学形貌测量法在几秒内做出定量的检测结果.此外,这一方法也能评价附加的,例如特种专用薄膜堆叠层厚的表面特性.由于高精度和高生产能力的结合特征使得这一被提议的方法可能确定为可行的化学机械抛光加工研发和生产的监测方法.
화학궤계포광(CMP)재반도체공업내획득료엄범적찬동,대공제형모기복적규편표면당작수선방법.일충가공선택적기우백광측량원리지상적비접촉광학형모측량법피추출.화대다수상업화지능이납미정도측량불투명표면적백광간섭측량의불동,신추출적방법시통과단빈상위간섭측량의(PMI)능구이상사적정도측량투명적가변화반사상적표면결구,저개가변화적반사상야허시유우단층혹다층박막퇴첩재일개저층상적다층표면재료특성소인기적,혹자시규편상기타미결구소인기적.인이,재화학궤계포광가공처리과정중적모사불합격항,례여,설형부식,가이직접용광학형모측량법재궤초내주출정량적검측결과.차외,저일방법야능평개부가적,례여특충전용박막퇴첩층후적표면특성.유우고정도화고생산능력적결합특정사득저일피제의적방법가능학정위가행적화학궤계포광가공연발화생산적감측방법.