中国稀土学报
中國稀土學報
중국희토학보
JOURNAL OF THE CHINESE RARE EARTH SOCIETY
2006年
4期
395-398
,共4页
卞留芳%张春光%陈维德%许振嘉%屈玉华%刁宏伟
卞留芳%張春光%陳維德%許振嘉%屈玉華%刁宏偉
변류방%장춘광%진유덕%허진가%굴옥화%조굉위
Er%SiC%硅基材料%发光%稀土
Er%SiC%硅基材料%髮光%稀土
Er%SiC%규기재료%발광%희토
用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 的方法,以固定的氢气(H2)流量和不同的硅烷(SiH4)和甲烷(CH4)流量比沉积了一系列的氢化非晶SiC(a-SixC1-x-H)膜.用这种宽带隙的a-SixC1-x-H材料作为掺铒的基体材料,通过离子注入的方法得到掺铒的a-SixC1-x-H(a-SixC1-x-H:Er)膜.注入以后的样品经过不同温度的退火.用X射线光电子能谱(XPS)、红外吸收光谱(IR)、拉曼散射谱(Raman)等技术研究不同的SiH4/CH4流量比和退火温度对a-SixC1-x-H:Er发光强度的影响.结果表明,高温退火引起了膜中C的分凝,对铒的发光是不利的.通过低温和室温下铒发光强度的比较,表明这种材料具有较弱的温度猝灭效应.
用等離子體增彊化學氣相沉積(PECVD) 的方法,以固定的氫氣(H2)流量和不同的硅烷(SiH4)和甲烷(CH4)流量比沉積瞭一繫列的氫化非晶SiC(a-SixC1-x-H)膜.用這種寬帶隙的a-SixC1-x-H材料作為摻鉺的基體材料,通過離子註入的方法得到摻鉺的a-SixC1-x-H(a-SixC1-x-H:Er)膜.註入以後的樣品經過不同溫度的退火.用X射線光電子能譜(XPS)、紅外吸收光譜(IR)、拉曼散射譜(Raman)等技術研究不同的SiH4/CH4流量比和退火溫度對a-SixC1-x-H:Er髮光彊度的影響.結果錶明,高溫退火引起瞭膜中C的分凝,對鉺的髮光是不利的.通過低溫和室溫下鉺髮光彊度的比較,錶明這種材料具有較弱的溫度猝滅效應.
용등리자체증강화학기상침적(PECVD) 적방법,이고정적경기(H2)류량화불동적규완(SiH4)화갑완(CH4)류량비침적료일계렬적경화비정SiC(a-SixC1-x-H)막.용저충관대극적a-SixC1-x-H재료작위참이적기체재료,통과리자주입적방법득도참이적a-SixC1-x-H(a-SixC1-x-H:Er)막.주입이후적양품경과불동온도적퇴화.용X사선광전자능보(XPS)、홍외흡수광보(IR)、랍만산사보(Raman)등기술연구불동적SiH4/CH4류량비화퇴화온도대a-SixC1-x-H:Er발광강도적영향.결과표명,고온퇴화인기료막중C적분응,대이적발광시불리적.통과저온화실온하이발광강도적비교,표명저충재료구유교약적온도졸멸효응.
