微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2006年
1期
60-65,69
,共7页
低压低功耗%模拟集成电路%轨对轨%亚阈值工作区%SOI
低壓低功耗%模擬集成電路%軌對軌%亞閾值工作區%SOI
저압저공모%모의집성전로%궤대궤%아역치공작구%SOI
低压、低功耗模拟集成电路设计受到多种因素的制约.围绕这些制约因素,回顾了国内外在模拟集成电路低压、低功耗设计领域的方法和技术的发展现状,主要涉及:轨对轨设计技术、亚阈值工作区技术、阈值电压降低技术、组合晶体管技术、横向BJT技术、SOI技术等.分析并比较了各种设计方法的优劣;并对模拟电路低压低功耗设计技术的发展趋势进行了展望.
低壓、低功耗模擬集成電路設計受到多種因素的製約.圍繞這些製約因素,迴顧瞭國內外在模擬集成電路低壓、低功耗設計領域的方法和技術的髮展現狀,主要涉及:軌對軌設計技術、亞閾值工作區技術、閾值電壓降低技術、組閤晶體管技術、橫嚮BJT技術、SOI技術等.分析併比較瞭各種設計方法的優劣;併對模擬電路低壓低功耗設計技術的髮展趨勢進行瞭展望.
저압、저공모모의집성전로설계수도다충인소적제약.위요저사제약인소,회고료국내외재모의집성전로저압、저공모설계영역적방법화기술적발전현상,주요섭급:궤대궤설계기술、아역치공작구기술、역치전압강저기술、조합정체관기술、횡향BJT기술、SOI기술등.분석병비교료각충설계방법적우렬;병대모의전로저압저공모설계기술적발전추세진행료전망.
