微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2006年
4期
498-501
,共4页
边强%严祖树%赵元富%岳素格
邊彊%嚴祖樹%趙元富%嶽素格
변강%엄조수%조원부%악소격
压控电流源%低压降稳压器%频率补偿%瞬态响应%电源抑制
壓控電流源%低壓降穩壓器%頻率補償%瞬態響應%電源抑製
압공전류원%저압강은압기%빈솔보상%순태향응%전원억제
利用小信号压控电流源(VCCS)电路产生所需零点,是一种先进的低压降稳压器(LDO)频率补偿方法.文章分析了VCCS频率补偿方法的原理和VCCS电路对LDO的瞬态响应及电源抑制(PSR)特性的改善作用,并提出了一种新的VCCS电路结构.该电路结构功耗低、占用面积小,在直到5 MHz的频率范围内,都有近乎理想的性能.采用这种结构的VCCS电路,基于0.5 μm CMOS工艺,设计的一款300 mV压降,2.5 V输出电压,最大100 mA输出电流的LDO电路,具有很好的频率响应、瞬态响应和电源抑制特性.该LDO电路所用全部片上电容的总值不到1 pF.
利用小信號壓控電流源(VCCS)電路產生所需零點,是一種先進的低壓降穩壓器(LDO)頻率補償方法.文章分析瞭VCCS頻率補償方法的原理和VCCS電路對LDO的瞬態響應及電源抑製(PSR)特性的改善作用,併提齣瞭一種新的VCCS電路結構.該電路結構功耗低、佔用麵積小,在直到5 MHz的頻率範圍內,都有近乎理想的性能.採用這種結構的VCCS電路,基于0.5 μm CMOS工藝,設計的一款300 mV壓降,2.5 V輸齣電壓,最大100 mA輸齣電流的LDO電路,具有很好的頻率響應、瞬態響應和電源抑製特性.該LDO電路所用全部片上電容的總值不到1 pF.
이용소신호압공전류원(VCCS)전로산생소수영점,시일충선진적저압강은압기(LDO)빈솔보상방법.문장분석료VCCS빈솔보상방법적원리화VCCS전로대LDO적순태향응급전원억제(PSR)특성적개선작용,병제출료일충신적VCCS전로결구.해전로결구공모저、점용면적소,재직도5 MHz적빈솔범위내,도유근호이상적성능.채용저충결구적VCCS전로,기우0.5 μm CMOS공예,설계적일관300 mV압강,2.5 V수출전압,최대100 mA수출전류적LDO전로,구유흔호적빈솔향응、순태향응화전원억제특성.해LDO전로소용전부편상전용적총치불도1 pF.
