电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2004年
1期
40-43
,共4页
蒸发%Ga2O3%薄膜%结构%成分
蒸髮%Ga2O3%薄膜%結構%成分
증발%Ga2O3%박막%결구%성분
采用电阻蒸发镀膜技术制备了Ga2O3薄膜,并进行了500℃和800℃的大气热处理.分别用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射(XRD)分析了它们的成分和晶体结构.实验结果表明:采用电阻蒸发镀膜技术制备的Ga2O3薄膜呈现非晶结构,薄膜成分沿深度方向的均匀性较差.经过500℃热处理后,薄膜转化为单斜结构(β相),薄膜成份的均匀性得到改善.经800℃热处理后,可以得到成份均匀的β-Ga2O3薄膜.并且,在不同的热处理温度下,薄膜的结晶取向也有所不同.
採用電阻蒸髮鍍膜技術製備瞭Ga2O3薄膜,併進行瞭500℃和800℃的大氣熱處理.分彆用俄歇電子能譜(AES)和X射線衍射(XRD)分析瞭它們的成分和晶體結構.實驗結果錶明:採用電阻蒸髮鍍膜技術製備的Ga2O3薄膜呈現非晶結構,薄膜成分沿深度方嚮的均勻性較差.經過500℃熱處理後,薄膜轉化為單斜結構(β相),薄膜成份的均勻性得到改善.經800℃熱處理後,可以得到成份均勻的β-Ga2O3薄膜.併且,在不同的熱處理溫度下,薄膜的結晶取嚮也有所不同.
채용전조증발도막기술제비료Ga2O3박막,병진행료500℃화800℃적대기열처리.분별용아헐전자능보(AES)화X사선연사(XRD)분석료타문적성분화정체결구.실험결과표명:채용전조증발도막기술제비적Ga2O3박막정현비정결구,박막성분연심도방향적균균성교차.경과500℃열처리후,박막전화위단사결구(β상),박막성빈적균균성득도개선.경800℃열처리후,가이득도성빈균균적β-Ga2O3박막.병차,재불동적열처리온도하,박막적결정취향야유소불동.
