电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2003年
4期
28-29
,共2页
电化学沉积%GaAs薄膜%沉积参数%太阳能电池
電化學沉積%GaAs薄膜%沉積參數%太暘能電池
전화학침적%GaAs박막%침적삼수%태양능전지
研究了电化学沉积参数对电沉积GaAs薄膜中元素组分以及薄膜质量的影响,得出电化学沉积GaAs薄膜成分接近Ga1As1的最佳工艺条件:pH=1.2;浓度比c(Ga) / c(As)=14;电流密度J=0.00
～0.008 A/cm2;阴极材料用SnO2导电玻璃,其SnO2厚度＞1μm.并给出改善GaAs薄膜质量的途径,为生产高效、低成本的GaAs太阳能电池奠定基础.
研究瞭電化學沉積參數對電沉積GaAs薄膜中元素組分以及薄膜質量的影響,得齣電化學沉積GaAs薄膜成分接近Ga1As1的最佳工藝條件:pH=1.2;濃度比c(Ga) / c(As)=14;電流密度J=0.00
～0.008 A/cm2;陰極材料用SnO2導電玻璃,其SnO2厚度＞1μm.併給齣改善GaAs薄膜質量的途徑,為生產高效、低成本的GaAs太暘能電池奠定基礎.
연구료전화학침적삼수대전침적GaAs박막중원소조분이급박막질량적영향,득출전화학침적GaAs박막성분접근Ga1As1적최가공예조건:pH=1.2;농도비c(Ga) / c(As)=14;전류밀도J=0.00
～0.008 A/cm2;음겁재료용SnO2도전파리,기SnO2후도＞1μm.병급출개선GaAs박막질량적도경,위생산고효、저성본적GaAs태양능전지전정기출.
