发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2001年
3期
213-217
,共5页
王立%李述体%彭学新%熊传兵%李鹏%江凤益
王立%李述體%彭學新%熊傳兵%李鵬%江鳳益
왕립%리술체%팽학신%웅전병%리붕%강봉익
MOCVD%InGaN%卢瑟福背散射/沟道技术%光致发光
MOCVD%InGaN%盧瑟福揹散射/溝道技術%光緻髮光
MOCVD%InGaN%로슬복배산사/구도기술%광치발광
采用MOCVD技术以Al2O3为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜.以卢瑟福背散射/沟道技术和光致发光技术对InxGa1-xN/GaN/Al2O3样品进行了测试.获得了合金层的组分、厚度、结晶品质及发光性能等信息.研究表明:在以N2作主载气的情况下,有机源的载气对InxGa1-xN膜的In组分和生长速率影响很大.生长温度为760℃时,以70ml/min的N2作有机源载气得到的InxGa1-xN膜的In组分为0.10,生长速率为6.0nm/min;而以70rnl/min的H2作有机源载气得到的InxGa1-xN薄膜的In组分为0.06,生长速率为10.6nm/min.本文首次报导了载气中含有少量H2能增大InxGa1-xN薄膜的生长速率的现象.
採用MOCVD技術以Al2O3為襯底在GaN膜上生長瞭InxGa1-xN薄膜.以盧瑟福揹散射/溝道技術和光緻髮光技術對InxGa1-xN/GaN/Al2O3樣品進行瞭測試.穫得瞭閤金層的組分、厚度、結晶品質及髮光性能等信息.研究錶明:在以N2作主載氣的情況下,有機源的載氣對InxGa1-xN膜的In組分和生長速率影響很大.生長溫度為760℃時,以70ml/min的N2作有機源載氣得到的InxGa1-xN膜的In組分為0.10,生長速率為6.0nm/min;而以70rnl/min的H2作有機源載氣得到的InxGa1-xN薄膜的In組分為0.06,生長速率為10.6nm/min.本文首次報導瞭載氣中含有少量H2能增大InxGa1-xN薄膜的生長速率的現象.
채용MOCVD기술이Al2O3위츤저재GaN막상생장료InxGa1-xN박막.이로슬복배산사/구도기술화광치발광기술대InxGa1-xN/GaN/Al2O3양품진행료측시.획득료합금층적조분、후도、결정품질급발광성능등신식.연구표명:재이N2작주재기적정황하,유궤원적재기대InxGa1-xN막적In조분화생장속솔영향흔대.생장온도위760℃시,이70ml/min적N2작유궤원재기득도적InxGa1-xN막적In조분위0.10,생장속솔위6.0nm/min;이이70rnl/min적H2작유궤원재기득도적InxGa1-xN박막적In조분위0.06,생장속솔위10.6nm/min.본문수차보도료재기중함유소량H2능증대InxGa1-xN박막적생장속솔적현상.
