半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2001年
3期
177-180
,共4页
陶蕤%王志功%董毅%谢世钟
陶蕤%王誌功%董毅%謝世鐘
도유%왕지공%동의%사세종
光接收机%前置放大器%跨阻放大器%CMOS工艺
光接收機%前置放大器%跨阻放大器%CMOS工藝
광접수궤%전치방대기%과조방대기%CMOS공예
给出了一种利用0.35μm CMOS工艺实现的2.5Gb/s跨阻前置放大器。此跨阻放大器的增益为59 dB*Ω,3dB带宽为2GHz,2GHz处的等效输入电流噪声为0.8×10-22 A2/Hz。在标准的5V电源电压下,功耗为250mW。PCML单端输出信号电压摆幅为200mVp-p。整个芯片面积为1.0mm×1.1mm。
給齣瞭一種利用0.35μm CMOS工藝實現的2.5Gb/s跨阻前置放大器。此跨阻放大器的增益為59 dB*Ω,3dB帶寬為2GHz,2GHz處的等效輸入電流譟聲為0.8×10-22 A2/Hz。在標準的5V電源電壓下,功耗為250mW。PCML單耑輸齣信號電壓襬幅為200mVp-p。整箇芯片麵積為1.0mm×1.1mm。
급출료일충이용0.35μm CMOS공예실현적2.5Gb/s과조전치방대기。차과조방대기적증익위59 dB*Ω,3dB대관위2GHz,2GHz처적등효수입전류조성위0.8×10-22 A2/Hz。재표준적5V전원전압하,공모위250mW。PCML단단수출신호전압파폭위200mVp-p。정개심편면적위1.0mm×1.1mm。
A 2.5Gb/s transimpedance preamplifier was realized by using 0.35μm CMOS technology. This preamplifier gives a 2GHz bandwidth with 59dB*Ω transimpedance gain. The equivalent input current noise is about 0.8×10-22A2/Hz at 2GHz frequency point. Under the supply voltage of 5V, the power dissipation is 250mW. The PCML single-ended output signal has the constant output voltage swing (200mVp-p). The chip area is 1.0mm×1.1mm.