金属-氧化物-半导体器件γ辐照温度效应
금속-양화물-반도체기건γ복조온도효응
TEMPERATURE EFFECTS OF γ-IRRADIATED METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT-TRANSISTOR
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2000年 7期 1331-1334 ,共4页

    王剑屏%徐娜军%张廷庆%汤华莲%刘家璐%刘传洋%姚育娟%彭宏论%何宝平%张正选

    왕검병%서나군%장정경%탕화련%류가로%류전양%요육연%팽굉론%하보평%장정선

    金属-氧化物-半导体场效应%辐射效应%阈值电压漂移 金屬-氧化物-半導體場效應%輻射效應%閾值電壓漂移
    금속-양화물-반도체장효응%복사효응%역치전압표이
    研究了金属-氧化物-半导体(MOS)器件在γ射线辐照条件下的温度效应.采用加固的CC4007进行辐照实验,在不同温度、不同偏压,以及不同退火条件下对MOS器件的辐照效应进行了比较,发现温度对辐照效应的影响主要是决定界面态建立的快慢.高温下辐照的器件,界面态建立的时间缩短.根据实验结果对器件阈值电压漂移的机理进行了探讨.
    연구료금속-양화물-반도체(MOS)기건재γ사선복조조건하적온도효응.채용가고적CC4007진행복조실험,재불동온도、불동편압,이급불동퇴화조건하대MOS기건적복조효응진행료비교,발현온도대복조효응적영향주요시결정계면태건립적쾌만.고온하복조적기건,계면태건립적시간축단.근거실험결과대기건역치전압표이적궤리진행료탐토.
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