半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
1999年
2期
40-43
,共4页
电离辐射%场区辐射加固技术%电路%CMOS工艺技术
電離輻射%場區輻射加固技術%電路%CMOS工藝技術
전리복사%장구복사가고기술%전로%CMOS공예기술
在分析电离辐射引起场区隔离失效机理及场区电离辐射加固技术的基础上,开发了一套适用于研制辐射加固54HC系列和辐射加固大规模集成电路的CMOS工艺技术.辐射实验结果表明,该技术可比非加固电路的抗总剂量辐射能力提高两个数量级.
在分析電離輻射引起場區隔離失效機理及場區電離輻射加固技術的基礎上,開髮瞭一套適用于研製輻射加固54HC繫列和輻射加固大規模集成電路的CMOS工藝技術.輻射實驗結果錶明,該技術可比非加固電路的抗總劑量輻射能力提高兩箇數量級.
재분석전리복사인기장구격리실효궤리급장구전리복사가고기술적기출상,개발료일투괄용우연제복사가고54HC계렬화복사가고대규모집성전로적CMOS공예기술.복사실험결과표명,해기술가비비가고전로적항총제량복사능력제고량개수량급.
