半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
2期
221-224
,共4页
微条%砷化镓%探测器
微條%砷化鎵%探測器
미조%신화가%탐측기
设计了一种能经受高能粒子辐照的GaAs微条粒子探测器.该探测器结构采用金属-半导体-金属结构,其主要几何尺寸是:微条长度为17mm,宽度分别为20、50、100、200、300μm.该探测器在经受电子、中子、γ射线、X射线等高能粒子辐照后,表面金属光亮无损,反向击穿电压最高可达180V,在反偏电压80V时,反向暗电流密度低达31nA/mm2.探测器的最小条宽为20μm.
設計瞭一種能經受高能粒子輻照的GaAs微條粒子探測器.該探測器結構採用金屬-半導體-金屬結構,其主要幾何呎吋是:微條長度為17mm,寬度分彆為20、50、100、200、300μm.該探測器在經受電子、中子、γ射線、X射線等高能粒子輻照後,錶麵金屬光亮無損,反嚮擊穿電壓最高可達180V,在反偏電壓80V時,反嚮暗電流密度低達31nA/mm2.探測器的最小條寬為20μm.
설계료일충능경수고능입자복조적GaAs미조입자탐측기.해탐측기결구채용금속-반도체-금속결구,기주요궤하척촌시:미조장도위17mm,관도분별위20、50、100、200、300μm.해탐측기재경수전자、중자、γ사선、X사선등고능입자복조후,표면금속광량무손,반향격천전압최고가체180V,재반편전압80V시,반향암전류밀도저체31nA/mm2.탐측기적최소조관위20μm.
