半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
2期
173-176
,共4页
叶好华%叶志镇%黄靖云%吴贵斌%赵炳辉%涂江平%侯崐
葉好華%葉誌鎮%黃靖雲%吳貴斌%趙炳輝%塗江平%侯崐
협호화%협지진%황정운%오귀빈%조병휘%도강평%후곤
Ge纳米线%氧化铝模板%低压化学气相沉积%气-液-固(VLS)生长机理
Ge納米線%氧化鋁模闆%低壓化學氣相沉積%氣-液-固(VLS)生長機理
Ge납미선%양화려모판%저압화학기상침적%기-액-고(VLS)생장궤리
采用氧化铝模板法结合具有高真空背景的低压化学气相沉积技术制备出Ge纳米线.在氧化铝模板的背面喷金作为催化剂,合成了Ge纳米线.采用原子力显微镜、X射线衍射、透射电镜、能量散射谱等手段对Ge纳米线进行了分析.Ge纳米线的直径约为30nm,长度超过600nm.对Ge纳米线的生长机理进行了探讨.
採用氧化鋁模闆法結閤具有高真空揹景的低壓化學氣相沉積技術製備齣Ge納米線.在氧化鋁模闆的揹麵噴金作為催化劑,閤成瞭Ge納米線.採用原子力顯微鏡、X射線衍射、透射電鏡、能量散射譜等手段對Ge納米線進行瞭分析.Ge納米線的直徑約為30nm,長度超過600nm.對Ge納米線的生長機理進行瞭探討.
채용양화려모판법결합구유고진공배경적저압화학기상침적기술제비출Ge납미선.재양화려모판적배면분금작위최화제,합성료Ge납미선.채용원자력현미경、X사선연사、투사전경、능량산사보등수단대Ge납미선진행료분석.Ge납미선적직경약위30nm,장도초과600nm.대Ge납미선적생장궤리진행료탐토.
