半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
1期
90-97
,共8页
彩霞%黄卫东%徐步陆%程兆年
綵霞%黃衛東%徐步陸%程兆年
채하%황위동%서보륙%정조년
芯片断裂%不流动胶%封装翘曲%能量释放率%应力强度因子
芯片斷裂%不流動膠%封裝翹麯%能量釋放率%應力彊度因子
심편단렬%불류동효%봉장교곡%능량석방솔%응력강도인자
用断裂力学方法和有限元模拟分析了填充不流动胶芯片断裂问题.模拟时在芯片上表面中心预置一裂缝,计算芯片的应力强度因子和能量释放率.模拟表明,由固化温度冷却到室温时,所研究的倒装焊封装在填充不流动胶时芯片断裂临界裂纹长度为12μm,而填充传统底充胶时为20μm.模拟结果显示芯片断裂与胶的杨氏模量和热膨胀系数相关,与胶的铺展关系不大.焊点阵列排布以及焊点位置也会影响封装整体翘曲和芯片断裂.
用斷裂力學方法和有限元模擬分析瞭填充不流動膠芯片斷裂問題.模擬時在芯片上錶麵中心預置一裂縫,計算芯片的應力彊度因子和能量釋放率.模擬錶明,由固化溫度冷卻到室溫時,所研究的倒裝銲封裝在填充不流動膠時芯片斷裂臨界裂紋長度為12μm,而填充傳統底充膠時為20μm.模擬結果顯示芯片斷裂與膠的楊氏模量和熱膨脹繫數相關,與膠的鋪展關繫不大.銲點陣列排佈以及銲點位置也會影響封裝整體翹麯和芯片斷裂.
용단렬역학방법화유한원모의분석료전충불류동효심편단렬문제.모의시재심편상표면중심예치일렬봉,계산심편적응력강도인자화능량석방솔.모의표명,유고화온도냉각도실온시,소연구적도장한봉장재전충불류동효시심편단렬림계렬문장도위12μm,이전충전통저충효시위20μm.모의결과현시심편단렬여효적양씨모량화열팽창계수상관,여효적포전관계불대.한점진렬배포이급한점위치야회영향봉장정체교곡화심편단렬.
