光学与光电技术
光學與光電技術
광학여광전기술
OPTICS & OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY
2003年
1期
38-40
,共3页
量子点%喇曼频移%微扰理论
量子點%喇曼頻移%微擾理論
양자점%나만빈이%미우이론
采用量子力学的微扰理论,对GaN基量子点结构的喇曼频移进行分析.在喇曼实验中,观察InGaN/GaN 量子点结构的E2和A1(LO)的模式,并发现实验中样品的喇曼频移与GaN的体材料相比,有着明显的红移.
採用量子力學的微擾理論,對GaN基量子點結構的喇曼頻移進行分析.在喇曼實驗中,觀察InGaN/GaN 量子點結構的E2和A1(LO)的模式,併髮現實驗中樣品的喇曼頻移與GaN的體材料相比,有著明顯的紅移.
채용양자역학적미우이론,대GaN기양자점결구적나만빈이진행분석.재나만실험중,관찰InGaN/GaN 양자점결구적E2화A1(LO)적모식,병발현실험중양품적나만빈이여GaN적체재료상비,유착명현적홍이.
