光子学报
光子學報
광자학보
ACTA PHOTONICA SINICA
2002年
7期
832-836
,共5页
王剑屏%郝跃%宋国乡%彭军%朱作云%张永华
王劍屏%郝躍%宋國鄉%彭軍%硃作雲%張永華
왕검병%학약%송국향%팽군%주작운%장영화
碳化硅%常压化学汽相淀积%异质外延
碳化硅%常壓化學汽相澱積%異質外延
탄화규%상압화학기상정적%이질외연
对宽禁带半导体材料碳化硅薄膜的常压化学汽相沉积(APCVD)异质外延技术进行了讨论.在SiC薄膜的生长过程中对Si/C原子比例的控制一直是影响薄膜表面形貌和膜层掺杂浓度的重要因素.针对水平卧式反应室,分析了生长过程中气流流速分布、反应室内温度分布以及反应气体浓度分布,指出"汽相结晶"过程对薄膜生长区Si/C比例有很大影响,从而影响了碳化硅薄膜的生长速率,非常好的解释了薄膜生长过程中出现的现象.
對寬禁帶半導體材料碳化硅薄膜的常壓化學汽相沉積(APCVD)異質外延技術進行瞭討論.在SiC薄膜的生長過程中對Si/C原子比例的控製一直是影響薄膜錶麵形貌和膜層摻雜濃度的重要因素.針對水平臥式反應室,分析瞭生長過程中氣流流速分佈、反應室內溫度分佈以及反應氣體濃度分佈,指齣"汽相結晶"過程對薄膜生長區Si/C比例有很大影響,從而影響瞭碳化硅薄膜的生長速率,非常好的解釋瞭薄膜生長過程中齣現的現象.
대관금대반도체재료탄화규박막적상압화학기상침적(APCVD)이질외연기술진행료토론.재SiC박막적생장과정중대Si/C원자비례적공제일직시영향박막표면형모화막층참잡농도적중요인소.침대수평와식반응실,분석료생장과정중기류류속분포、반응실내온도분포이급반응기체농도분포,지출"기상결정"과정대박막생장구Si/C비례유흔대영향,종이영향료탄화규박막적생장속솔,비상호적해석료박막생장과정중출현적현상.
