CAJ | 학술논문

本文提出了用异型硅岛实现的厚膜全耗尽(FD)SOI MOSFET的新结构,并分析了其性能与结构参数的关系.通过在厚膜SOI MOSFET靠近背栅的界面形成一个相反掺杂的硅岛,从而使得厚膜SOI MOSFET变成全耗尽器件.二维模拟显示,通过对异型硅岛的宽度、厚度、掺杂浓度以及在沟道中位置的分析与设计,厚膜SOI MOSFET不仅实现了全耗尽,从而克服了其固有的Kink效应,而且驱动电流也大大增加,器件速度明显提高,同时短沟性能也得到改善.模拟结果证明:优化的异型硅岛应该位于硅膜的底部中央处,整个宽度约为沟道长度的五分之三,厚度大约等于硅膜厚度的一半,掺杂浓度只要高出硅膜的掺杂浓度即可.重要的是,异型硅岛的设计允许其厚度、宽度、掺杂浓度以及位置的较大波动.可以看出,异型硅岛实现的厚膜全耗尽 SOI MOSFET 为厚膜SOI器件提供了一个更广阔的设计空间.
본문제출료용이형규도실현적후막전모진(FD)SOI MOSFET적신결구,병분석료기성능여결구삼수적관계.통과재후막SOI MOSFET고근배책적계면형성일개상반참잡적규도,종이사득후막SOI MOSFET변성전모진기건.이유모의현시,통과대이형규도적관도、후도、참잡농도이급재구도중위치적분석여설계,후막SOI MOSFET불부실현료전모진,종이극복료기고유적Kink효응,이차구동전류야대대증가,기건속도명현제고,동시단구성능야득도개선.모의결과증명:우화적이형규도응해위우규막적저부중앙처,정개관도약위구도장도적오분지삼,후도대약등우규막후도적일반,참잡농도지요고출규막적참잡농도즉가.중요적시,이형규도적설계윤허기후도、관도、참잡농도이급위치적교대파동.가이간출,이형규도실현적후막전모진 SOI MOSFET 위후막SOI기건제공료일개경엄활적설계공간.