半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2002年
9期
930-934
,共5页
陈长勇%陈维德%王永谦%宋淑芳%许振嘉%郭少令
陳長勇%陳維德%王永謙%宋淑芳%許振嘉%郭少令
진장용%진유덕%왕영겸%송숙방%허진가%곽소령
Er3+%SiOx%光致发光
Er3+%SiOx%光緻髮光
Er3+%SiOx%광치발광
采用光致发光(PL)谱和傅里叶变换红外(FTIR)谱研究了掺铒a-SiOx∶H(a-SiOx∶H〈Er〉)薄膜在不同退火温度下光学性质和微观结构的变化.PL谱的测量结果表明:薄膜在1.54μm的Er3+发光和750nm处的可见发光随退火温度有相同的变化趋势,这种变化和薄膜在退火过程中微观结构的变化有着密切关系.FTIR谱的分析表明:a-SiOx∶H薄膜是一种两相结构,富硅相镶嵌在富氧相中.两者的成分可近似用a-SiOx≈0.3∶H和a-SiOx≈1.5∶H表示,前者性质接近于氢化非晶硅(a-Si∶H),后者性质接近于a-SiO2.富硅相在退火中的变化对Er3+的发光强度有重要影响.
採用光緻髮光(PL)譜和傅裏葉變換紅外(FTIR)譜研究瞭摻鉺a-SiOx∶H(a-SiOx∶H〈Er〉)薄膜在不同退火溫度下光學性質和微觀結構的變化.PL譜的測量結果錶明:薄膜在1.54μm的Er3+髮光和750nm處的可見髮光隨退火溫度有相同的變化趨勢,這種變化和薄膜在退火過程中微觀結構的變化有著密切關繫.FTIR譜的分析錶明:a-SiOx∶H薄膜是一種兩相結構,富硅相鑲嵌在富氧相中.兩者的成分可近似用a-SiOx≈0.3∶H和a-SiOx≈1.5∶H錶示,前者性質接近于氫化非晶硅(a-Si∶H),後者性質接近于a-SiO2.富硅相在退火中的變化對Er3+的髮光彊度有重要影響.
채용광치발광(PL)보화부리협변환홍외(FTIR)보연구료참이a-SiOx∶H(a-SiOx∶H〈Er〉)박막재불동퇴화온도하광학성질화미관결구적변화.PL보적측량결과표명:박막재1.54μm적Er3+발광화750nm처적가견발광수퇴화온도유상동적변화추세,저충변화화박막재퇴화과정중미관결구적변화유착밀절관계.FTIR보적분석표명:a-SiOx∶H박막시일충량상결구,부규상양감재부양상중.량자적성분가근사용a-SiOx≈0.3∶H화a-SiOx≈1.5∶H표시,전자성질접근우경화비정규(a-Si∶H),후자성질접근우a-SiO2.부규상재퇴화중적변화대Er3+적발광강도유중요영향.
